Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 750V

IGBT Modülü 750V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 750V

IGBT Modülü,GD1000HFA75N5HT Starpower

750V 1000A, Ambalaj:P6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1000HFA75N5HT
  • Tanıtım
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Tanıtım

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER .1000V 750A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Düşük değişim kayıpları
  • 6μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • Morphit Si kullanılarak izole edilmiş bakır pinfin taban plaka 3N4AMB teknolojisi

Tipik Uygulamalar

  • Otomotiv uygulama
  • Hibrit ve Elektrikli Araç
  • Motorlu tahrik için inverter

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

750

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

ICN

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

1000

A

IC

Toplayıcı Mevcut T vj =175o C

680

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1360

A

PD

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75o C T vj =175o C

1086

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

750

V

IFN

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

1000

A

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

680

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1360

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

2500

V

IGBT Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=680A,V GE =15V, T vj =25o C

1.25

1.50

V

IC=680A,V GE =15V, T vj =150o C

1.35

IC=680A,V GE =15V, T vj =175o C

1.40

IC=1000A,V GE =15V, T vj =25o C

1.45

IC=1000A,V GE =15V, T vj =175o C

1.70

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=9.60mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

IC=9.60mA ,V CE =V GE , T vj =175o C

3.5

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

1.0

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C- Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.51

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.32

nF

S G

Geçit Ücreti

V CE =400V, IC=680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C=680A, Çubuk G=0.22Ω, LS =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =25o C

196

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

50

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

407

ns

t f

Sonbahar zamanı

125

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

11.1

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

29.1

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C=680A, Çubuk G=0.22Ω, LS =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =150o C

222

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

63

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

471

ns

t f

Sonbahar zamanı

178

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

19.7

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

37.4

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C=680A, Çubuk G=0.22Ω, LS =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =175o C

224

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

68

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

490

ns

t f

Sonbahar zamanı

194

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

21.7

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

39.5

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤6μs,V GE =15V,

4000

A

T vj =25o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

t P≤3μs,V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

Diyot Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =680A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =680A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

IF =680A,V GE =0V,T vj =175o C

1.55

IF =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =680A,

-di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, LS =16nH ,T vj =25o C

19.9

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

458

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.10

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =680A,

-di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, LS =16nH ,T vj =150o C

29.7

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

504

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

9.70

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =680A,

-di/dt=11740A/μs,V GE =-10V, LS =16nH ,T vj =175o C

34.5

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

526

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

11.0

mJ

PTC Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk

Nominal Direnç

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Sıcaklık Katsayısı nt

0.38

%/K

T Ş

Kendine Isıtma

T C=0 o C

Im =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

Modül Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

5

nH

p

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

2.5

çubuk

Çubuk thJF

Kavşak -ile -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) V/ t=8.0 dm 3/dK ,T F =65o C

0.080 0.115

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M5 vida

5.4 5.4

6.6 6.6

N.M

G

Ağırlık nın Modül

220

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000