Kısa tanıtım
IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1000V 750A.
Özellikler
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
- Düşük değişim kayıpları
- 6μs kısa devre kapasitesi
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
-
Maksimum birleşim sıcaklığı 175 ℃
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
-
Morphit Si kullanılarak izole edilmiş bakır pinfin taban plaka 3N 4AMB teknolojisi
Tipik Uygulamalar
- Otomotiv uygulama
- Hibrit ve Elektrikli Araç
- Motorlu tahrik için inverter
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
750 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben Çin |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
1000 |
A |
Ben C |
Toplayıcı Akım T vj =175 o C |
680 |
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
1360 |
A |
P D |
Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75 o C T vj =175 o C |
1086 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş |
750 |
V |
Ben FN |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
1000 |
A |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
680 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
1360 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T vjmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T vjop |
Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
V |
IGBT Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı
|
Ben C =680A,V GE =15V, T vj =25 o C |
|
1.25 |
1.50 |
V
|
|
Ben C =680A,V GE =15V, T vj =150 o C |
|
1.35 |
|
|
Ben C =680A,V GE =15V, T vj =175 o C |
|
1.40 |
|
|
Ben C =1000A,V GE =15V, T vj =25 o C |
|
1.45 |
|
|
Ben C =1000A,V GE =15V, T vj =175 o C |
|
1.70 |
|
|
|
V GE (th )
|
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj
|
Ben C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C |
5.5 |
6.5 |
7.0 |
V
|
|
Ben C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj =175 o C |
|
3.5 |
|
|
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF Akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
|
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C |
|
|
400 |
nA |
|
R Gint |
İç kapı direnci |
|
|
1.0 |
|
ω |
|
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V
|
|
72.3 |
|
nF |
|
C - Evet. |
Çıkış Kapasitesi |
|
1.51 |
|
nF |
|
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
0.32 |
|
nF |
|
Q G |
Geçit Ücreti |
V CE =400V, Ben C =680A, V GE =-10…+15V |
|
4.10 |
|
μC |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L Sahip =16 nH , V GE =-10V/+15V,
T vj =25 o C
|
|
196 |
|
ns |
|
t r |
Kalkma zamanı. |
|
50 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
407 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
125 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
11.1 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
29.1 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L Sahip =16 nH , V GE =-10V/+15V,
T vj =150 o C
|
|
222 |
|
ns |
|
t r |
Kalkma zamanı. |
|
63 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
471 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
178 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
19.7 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
37.4 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L Sahip =16 nH , V GE =-10V/+15V,
T vj =175 o C
|
|
224 |
|
ns |
|
t r |
Kalkma zamanı. |
|
68 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
490 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
194 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
21.7 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
39.5 |
|
mJ |
|
Ben SC |
SC Verileri |
t P ≤6μs,V GE =15V, |
|
4000 |
|
A |
|
|
|
T vj =25 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V |
|
|
|
|
|
|
t P ≤3μs,V GE =15V,
T vj =175 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V
|
|
3300 |
|
|
Diyot Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V F
|
Diyot ileriye Voltaj
|
Ben F =680A,V GE =0V,T vj =2 5o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
Ben F =680A,V GE =0V,T vj =150 o C |
|
1.60 |
|
Ben F =680A,V GE =0V,T vj =175 o C |
|
1.55 |
|
Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =25 o C |
|
1.80 |
|
Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =175 o C |
|
1.75 |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =400V,I F =680A,
-di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, L Sahip =16 nH ,T vj =25 o C
|
|
19.9 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
458 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
6.10 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =400V,I F =680A,
-di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, L Sahip =16 nH ,T vj =150 o C
|
|
29.7 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
504 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
9.70 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =400V,I F =680A,
-di/dt=11740A/μs,V GE - Hayır. 10V, L Sahip =16 nH ,T vj =175 o C
|
|
34.5 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
526 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
11.0 |
|
mJ |
PTC Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R |
Nominal Direnç |
T C =0 o C
T C =150 o C
|
|
1000
1573
|
|
ω ω |
T Cr |
Sıcaklık Katsayısı nt |
|
|
0.38 |
|
%/K |
T Ş |
Kendine Isıtma |
T C =0 o C
Ben m =0.1...0.3mA
|
|
0.4 |
|
K/mW |
Modül Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
5 |
|
nH |
p |
Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk |
|
|
2.5 |
bar |
|
R thJF
|
Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △ V/ △ t=8.0 dm 3/min ,T F =65 o C |
|
0.080 0.115 |
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M5 vida |
5.4 5.4 |
|
6.6 6.6 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
220 |
|
g |
EN
