GD75HFX170C1S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C @ T C =100 o C

136

75

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

150

A

P D

Maksimum Güç Dağılım @ T vj =175 o C

539

W

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

75

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

150

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =75A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

Ben C =75A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

Ben C =75A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF Akım

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci

8.5

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.22

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,T vj =25 o C

237

ns

t r

Kalkma zamanı.

59

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

314

ns

t f

Sonbahar zamanı

361

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

25.0

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.5

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,T vj =125 o C

254

ns

t r

Kalkma zamanı.

70

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

383

ns

t f

Sonbahar zamanı

524

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

33.3

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

15.1

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,T vj =150 o C

257

ns

t r

Kalkma zamanı.

75

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

396

ns

t f

Sonbahar zamanı

588

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

36.9

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

16.6

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =75A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

Ben F =75A,V GE =0V,T vj =12 5o C

1.90

Ben F =75A,V GE =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,T vj =25 o C

16.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

58

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

7.2

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,T vj =125 o C

30.8

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

64

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

15.8

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,T vj =150 o C

31.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

64

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

18.2

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

30

nH

R CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.65

mΩ

R - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

150

g