GD75HFX170C1S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

150

A

PD

Maksimum Güç Dağılım @ T vj =175o C

539

G

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

75

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

150

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=75A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=75A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

8.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.22

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=75A, Çubuk G=6.8Ω,V GE =±15V, LS =60nH ,T vj =25o C

237

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

59

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

314

ns

t f

Sonbahar zamanı

361

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

25.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.5

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=75A, Çubuk G=6.8Ω,V GE =±15V, LS =60nH ,T vj =125o C

254

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

70

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

383

ns

t f

Sonbahar zamanı

524

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

33.3

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

15.1

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=75A, Çubuk G=6.8Ω,V GE =±15V, LS =60nH ,T vj =150o C

257

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

75

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

396

ns

t f

Sonbahar zamanı

588

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

36.9

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

16.6

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15V LS =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

58

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

7.2

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

64

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

15.8

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

64

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

18.2

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

30

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.65

mΩ

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.278 0.467

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

150

g