IGBT modülü GD820HTX75P6H Starpower

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

750

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben Çin

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

820

A

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T F =60 o C

450

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1640

A

P D

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75 o C T j =175 o C

752

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlayan Zirve Ters Voltaj gE

750

V

Ben FN

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

820

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

450

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1640

A

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli

Dönem içinde 10 saniye için 30 saniye, meydana gelme ömür boyunca maksimum 3000 kez

-40 ile +150 arasında +150 ile +175

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =450A,V GE =15V, T j =25 o C

1.35

1.60

V

Ben C =450A,V GE =15V, T j =150 o C

1.60

Ben C =450A,V GE =15V, T j =175 o C

1.65

Ben C =820A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

Ben C =820A,V GE =15V, T j =175 o C

2.20

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

4.9

5.8

6.5

V

Ben C =9.60 mA ,V CE = V GE , Tj=175 o C

4.1

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF Akım

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci

0.7

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

69.1

nF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

2.31

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

1.05

nF

Q G

Geçit Ücreti

V CE =400V,I C =450A, V GE =-8…+15V

3.29

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A, R G =2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, L Sahip =24nH,

T j =25 o C

191

ns

t r

Kalkma zamanı.

83

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

543

ns

t f

Sonbahar zamanı

158

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

16.8

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

20.5

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A, R G =2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, L Sahip =24nH,

T j =150 o C

207

ns

t r

Kalkma zamanı.

96

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

594

ns

t f

Sonbahar zamanı

190

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

22.5

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

24.5

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A, R G =2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, L Sahip =24nH,

T j =175 o C

208

ns

t r

Kalkma zamanı.

103

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

613

ns

t f

Sonbahar zamanı

190

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

26.7

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

26.9

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤6μs, V GE =15V,

4800

A

T j =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =450A,V GE =0V,T j =25 o C

1.40

1.65

V

Ben F =450A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.35

Ben F =450A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.30

Ben F =820A,V GE =0V,T j =25 o C

1.70

Ben F =820A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8V L Sahip =24 nH ,T j =25 o C

16.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

222

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

4.50

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=4810A/μs,V GE =-8V L Sahip =24 nH ,T j =150 o C

32.2

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

283

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

8.19

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=4630A/μs,V GE =-8V L Sahip =24 nH ,T j =175 o C

36.3

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

292

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

9.03

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

R 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili R 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

8

nH

R CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

64

mbar

p

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

T taban plakası <40 o C

T taban plakası 40o C

(başlangıçtaki basınç)

2.5 2.0

bar

R thJF

Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.116 0.175

0.133 0.200

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

750

g