IGBT Modülü, GD1000HTA75P6HT Starpower

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

750

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben Çin

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

1000

A

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T F =125 o C

450

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

2000

A

P D

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75 o C T vj =175 o C

1282

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

750

V

Ben FN

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

1000

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

450

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

2000

A

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli

Dönem içinde 10 saniye için 30 saniye, meydana gelme ömür boyunca maksimum 3000 kez

-40 ile +150 arasında +150 ile +175

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

d Sürünme

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

9.0 9.0

mm

d Şeffaf

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

4.5 4.5

mm

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =450A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.10

1.35

V

Ben C =450A,V GE =15V, T vj =150 o C

1.10

Ben C =450A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.10

Ben C =1000A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.40

Ben C =1000A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.60

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =12.9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.4

7.0

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF Akım

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci

1.2

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.50

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.35

nF

Q G

Geçit Ücreti

V CE =400V,I C =450A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A,

R Git =1.2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L Sahip =24nH, T vj =25 o C

244

ns

t r

Kalkma zamanı.

61

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

557

ns

t f

Sonbahar zamanı

133

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

11.0

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

22.8

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A,

R Git =1.2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L Sahip =24nH, T vj =150 o C

260

ns

t r

Kalkma zamanı.

68

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

636

ns

t f

Sonbahar zamanı

226

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

16.9

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

32.2

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A,

R Git =1.2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L Sahip =24nH, T vj =175 o C

264

ns

t r

Kalkma zamanı.

70

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

673

ns

t f

Sonbahar zamanı

239

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

19.2

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

33.6

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤6μs, V GE =15V,

T vj =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =450A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.40

1.65

V

Ben F =450A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.35

Ben F =450A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.30

Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =25 o C

1.80

Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.80

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L Sahip =24 nH ,T vj =25 o C

18.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

303

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

3.72

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L Sahip =24 nH ,T vj =150 o C

36.1

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

376

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

8.09

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L Sahip =24 nH ,T vj =175 o C

40.1

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

383

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

9.01

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

R 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili R 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

8

nH

R CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.75

mΩ

p

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

T taban plakası <40 o C

T taban plakası 40o C

(başlangıçtaki basınç)

2.5 2.0

bar

R thJF

Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

750

g