GD150HFU120C2SD, IGBT Modülü, STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

EC

Toplayıcı Akımı @ T C=25ü C@ T C=85ü C

241

150

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

300

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =150ü C

1262

E

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

EF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

150

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

300

K

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

ü C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40'tan +125'e kadar

ü C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

EC=150A,V GE =15V, T vj =25ü C

2.90

3.35

V

EC=150A,V GE =15V, T vj =125ü C

3.60

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25ü C

5.0

6.1

7.0

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF Akım

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25ü C

5.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.50

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.60

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=150A, Çubuk E=6.8Ω,Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =25ü C

74

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

92

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

401

ns

t f

Sonbahar zamanı

31

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

19.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

3.09

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=150A, Çubuk E=6.8Ω, Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =125ü C

61

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

95

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

444

ns

t f

Sonbahar zamanı

47

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

22.5

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

3.99

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =125ü C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

975

K

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Gerilim

EF =150A,V GE =0V,T vj =25ü C

1.85

2.30

V

EF =150A,V GE =0V,T vj =125ü C

1.90

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V GE =-15V, LS =48nH ,T vj =25ü C

13.7

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

91

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

4.01

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V GE =-15V, LS =48nH ,T vj =125ü C

22.1

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

111

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.65

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Y CE

Savrulan endüktansa

30

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.35

mΩ

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.099 0.259

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.028 0.072 0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

300

e