GD150HFU120C2SD, IGBT Modülü, STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C @ T C =85 o C

241

150

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

300

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =150 o C

1262

W

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

150

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

300

A

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40'tan +125'e kadar

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =150A,V GE =15V, T vj =25 o C

2.90

3.35

V

Ben C =150A,V GE =15V, T vj =125 o C

3.60

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.0

6.1

7.0

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF Akım

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.50

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.60

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω,Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =25 o C

74

ns

t r

Kalkma zamanı.

92

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

401

ns

t f

Sonbahar zamanı

31

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

19.0

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

3.09

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =125 o C

61

ns

t r

Kalkma zamanı.

95

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

444

ns

t f

Sonbahar zamanı

47

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

22.5

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

3.99

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =125 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =150A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Ben F =150A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V GE =-15V, LS = 48 nH ,T vj =25 o C

13.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

91

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

4.01

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V GE =-15V, LS = 48 nH ,T vj =125 o C

22.1

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

111

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.65

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

30

nH

R CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.35

mΩ

R - Yürü

Kavşak -için -Vaka (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.099 0.259

K/W

R thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.028 0.072 0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

g