Kısa tanıtım
IGBT modülü ,üretildi STARPOWER .950V 750A.
Özellikler
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
- Düşük değişim kayıpları
- 6μs kısa devre kapasitesi
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
-
Maksimum birleşim sıcaklığı 175 ℃
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
-
Morphit Si kullanılarak izole edilmiş bakır pinfin taban plaka 3N4AMB teknolojisi
Tipik Uygulamalar
- Otomotiv başvuru
- Hibrit ve Elektrikli Araç
- Motorlu tahrik için inverter
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değerler |
BİRİM |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
750 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
ICN |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
950 |
A |
IC |
Toplayıcı Akımı @ T F =100o C |
450 |
A |
ICm |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
1900 |
A |
PD |
Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75o C T j =175o C |
1162 |
G |
Diyot
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değerler |
BİRİM |
V RRM |
Tekrarlayan Zirve Ters Voltaj gE |
750 |
V |
IFN |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
950 |
A |
IF |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
450 |
A |
IFm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
1900 |
A |
Modül
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
BİRİM |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
|
T yapma
|
Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli
Dönem içinde 10 saniye için 30 saniye, meydana gelme ömür boyunca maksimum 3000 kez
|
-40 ile +150 arasında +150 ile +175 |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK |
2500 |
V |
IGBT Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
|
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı
|
IC=450A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.35 |
1.60 |
V
|
|
IC=450A,V GE =15V, T j =150o C |
|
1.60 |
|
|
IC=450A,V GE =15V, T j =175o C |
|
1.65 |
|
|
IC=950A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.75 |
|
|
IC=950A,V GE =15V, T j =175o C |
|
2.35 |
|
|
|
V GE (th)
|
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj
|
IC=9.60mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
4.9 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
IC=9.60mA ,V CE =V GE , Tj=175 o C |
|
4.1 |
|
|
|
ICES |
Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
|
IGES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
|
Çubuk Gint |
İç kapı direnci |
|
|
0.7 |
|
ω |
|
Cies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V
|
|
69.1 |
|
nF |
|
C- Evet. |
Çıkış Kapasitesi |
|
2.31 |
|
nF |
|
Cres |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
1.05 |
|
nF |
|
S G |
Geçit Ücreti |
V CE =400V,I C =450A, V GE =-8…+15V |
|
3.29 |
|
μC |
|
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C=450A, Çubuk G=2.4Ω,
V GE =-8V/+15V, LS =24nH,
T j =25o C
|
|
191 |
|
ns |
|
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
83 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
543 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
158 |
|
ns |
|
Eaçık |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
16.8 |
|
mJ |
|
EoFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
20.5 |
|
mJ |
|
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C=450A, Çubuk G=2.4Ω,
V GE =-8V/+15V, LS =24nH,
T j =150o C
|
|
207 |
|
ns |
|
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
96 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
594 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
190 |
|
ns |
|
Eaçık |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
22.5 |
|
mJ |
|
EoFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
24.5 |
|
mJ |
|
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C=450A, Çubuk G=2.4Ω,
V GE =-8V/+15V, LS =24nH,
T j =175o C
|
|
208 |
|
ns |
|
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
103 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
613 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
190 |
|
ns |
|
Eaçık |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
26.7 |
|
mJ |
|
EoFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
26.9 |
|
mJ |
|
ISC |
SC Verileri |
t P≤6μs, V GE =15V, |
|
4800 |
|
A |
|
|
|
T j =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V |
|
|
|
|
|
Diyot Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
|
V F
|
Diyot ileriye Voltaj
|
IF =450A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.40 |
1.65 |
V
|
IF =450A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.35 |
|
IF =450A,V GE =0V,T j =175o C |
|
1.30 |
|
IF =950A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.75 |
|
IF =950A,V GE =0V,T j =175o C |
|
1.75 |
|
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =400V,I F =450A,
-di/dt=5520A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =25o C
|
|
16.4 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
222 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
4.50 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =400V,I F =450A,
-di/dt=4810A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =150o C
|
|
32.2 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
283 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
8.19 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =400V,I F =450A,
-di/dt=4630A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =175o C
|
|
36.3 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
292 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
9.03 |
|
mJ |
NTC Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
Çubuk 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Değişim nın Çubuk 100 |
T C=100 o Cr 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
LCE |
Savrulan endüktansa |
|
8 |
|
nH |
Çubuk CC+EE |
Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe |
|
0.75 |
|
mΩ |
|
p
|
Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk
T taban plakası <40o C
T taban plakası 40o C
(başlangıçtaki basınç)
|
|
|
2.5 2.0 |
çubuk
|
|
Çubuk thJF
|
Kavşak -ile -Soğutma Sıvı (perIGBT )Soğutma Sıvısına Kavuşan Birleşim (per Di (çıkış) △V/ △t=10.0 dm 3/dK ,T F =75o C |
|
0.075 0.118 |
0.086 0.136 |
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida |
3.6 1.8 |
|
4.4 2.2 |
N.M |
G |
Ağırlık nın Modül |
|
750 |
|
g |
EN
