MTx1000 MFx1000 MT1000, Thyristor/Diyod Modülleri, Hava Soğutma

VRRM,VDRM

Tip & Kontur

600V

MT3düzgünlük

MFx1000-06-412F3

800V

MT3düzgünlük

MFx1000-08-412F3

1000V

MT3 birimleri

MFx1000-10-412F3

1200V

MT3 birimleri

MFx1000-12-412F3

1400V

MT3düzgünlük

MFx1000-14-412F3

1600V

MT3 birimleri

MFx1000-16-412F3

1800V

MT3 birimleri

MFx1000-18-412F3

1800V

MT3B2B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3

Sembolik

Karakteristik

Test koşulları

Tj( ℃ )

Değer

Birim

Min

TUR

Max

IT(AV)

Ortalama açık durum akımı

180° yarım sinüs dalgası 50Hz

Tek taraf soğutulmuş, TC=65 ℃

125

1000

A

IT(RMS)

RMS iletken durum akımı

1570

A

Idrm Irrm

Tekrarlayan tepe akımı

vDRM'de VRRM'de

125

55

mA

ITSM

Ani açık durum akımı

VR=60%VRRM, t=10ms yarım sinüs,

125

26.0

kA

Ben ²t

Birleştirme koordinasyonu için I2t

125

3380

10³A ²sahip

VTO

Sınır Voltajı

125

0.80

V

rt

Açık durum eğim direnci

0.18

mΩ

VTM

Zirve açık durum voltajı

ITM=3000A

25

1.86

V

dv/dt

Kapalı durum voltajının kritik artış hızı

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Açık durumdaki akımın kritik artış hızı

Kapı kaynağı 1.5A

tr ≤0.5μs Tekrarlayıcı

125

200

A/μs

IGT

Kapı tetikleme akımı

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Kapı tetikleme voltajı

0.8

3.0

V

IH

Tutma akımı

10

200

mA

İL

Kilitleme akımı

1500

mA

VGD

Tetiklenmeyen kapı voltajı

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termal direnç Kesişimden kasaya

Her çip için tek taraflı soğutma

0.048

℃ /W

Rth(c-h)

Termal direnç kasa ile soğutucu arasında

Her çip için tek taraflı soğutma

0.020

℃ /W

VISO

İzolasyon voltajı

50Hz,R.M.S,t=1dak,Iiso:1mA(max)

3000

V

Fm

Terminal bağlantısı tork (M12)

12.0

16.0

N·m

Montaj torkü ((M8)

10.0

12.0

N·m

Tvj

Çapraz sıcaklık

-40

125

℃

TSTG

Saklama sıcaklığı

-40

125

℃

Wt

Ağırlık

3660

g

Çizelge

412F3