Kısa tanıtım
IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 950V 750A.
Özellikler
Tipik Uygulamalar
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
750 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben Çin |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
950 |
A |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T F =90 o C |
450 |
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
1900 |
A |
P D |
Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75 o C T j =175 o C |
877 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş |
750 |
V |
Ben FN |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
950 |
A |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
450 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
1900 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
|
T yapma |
Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli Dönem içinde 10 saniye için 30 saniye, meydana gelme ömür boyunca maksimum 3000 kez |
-40 ile +150 arasında +150 ile +175 |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
V |
IGBT Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
|
V CE (sat) |
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı |
Ben C =450A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.25 |
1.50 |
V |
|
Ben C =450A,V GE =15V, T j =150 o C |
|
1.35 |
|
||||
Ben C =450A,V GE =15V, T j =175 o C |
|
1.40 |
|
||||
Ben C =950A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.60 |
|
||||
Ben C =950A,V GE =15V, T j =175 o C |
|
2.05 |
|
||||
|
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.0 |
5.7 |
7.0 |
V |
|
Ben C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j =175 o C |
|
3.5 |
|
||||
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF Akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
|
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
|
R Gint |
İç kapı direnci |
|
|
0.7 |
|
ω |
|
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V |
|
42.1 |
|
nF |
|
C - Evet. |
Çıkış Kapasitesi |
|
1.80 |
|
nF |
||
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
1.18 |
|
nF |
||
Q G |
Geçit Ücreti |
V CE =400V,I C =450A, V GE =-8…+15V |
|
3.01 |
|
μC |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C =450A, R G =2.4Ω, L S =24 nH V GE =-8V/+15V, T j =25 o C |
|
126 |
|
ns |
|
t r |
Kalkma zamanı. |
|
62 |
|
ns |
||
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
639 |
|
ns |
||
t f |
Sonbahar zamanı |
|
149 |
|
ns |
||
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
17.3 |
|
mJ |
||
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
25.4 |
|
mJ |
||
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C =450A, R G =2.4Ω, L S =24 nH V GE =-8V/+15V, T j =150 o C |
|
136 |
|
ns |
|
t r |
Kalkma zamanı. |
|
68 |
|
ns |
||
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
715 |
|
ns |
||
t f |
Sonbahar zamanı |
|
221 |
|
ns |
||
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
22.5 |
|
mJ |
||
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
31.0 |
|
mJ |
||
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C =450A, R G =2.4Ω, L S =24 nH V GE =-8V/+15V, T j =175 o C |
|
138 |
|
ns |
|
t r |
Kalkma zamanı. |
|
68 |
|
ns |
||
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
739 |
|
ns |
||
t f |
Sonbahar zamanı |
|
227 |
|
ns |
||
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
24.8 |
|
mJ |
||
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
32.6 |
|
mJ |
||
Ben SC |
SC Verileri |
t P ≤6μs, V GE =15V, |
|
5100 |
|
A |
|
|
|
T j =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V |
|
|
|
|
|
|
t P ≤3μs, V GE =15V, T j =175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V |
|
3800 |
|
Diyot Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V F |
Diyot ileriye Voltaj |
Ben F =450A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.40 |
1.65 |
V |
Ben F =450A,V GE =0V,T j =1 50o C |
|
1.35 |
|
|||
Ben F =450A,V GE =0V,T j =1 75o C |
|
1.30 |
|
|||
Ben F =950A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.75 |
|
|||
Ben F =950A,V GE =0V,T j =1 75o C |
|
1.75 |
|
|||
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =400V,I F =450A, -di/dt=7070A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =25 o C |
|
16.0 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
254 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
5.03 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =400V,I F =450A, -di/dt=6150A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =150 o C |
|
36.0 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
320 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
9.49 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =400V,I F =450A, -di/dt=6010A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =175 o C |
|
40.5 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
338 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
10.5 |
|
mJ |
NTC Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Değişim ile ilgili R 100 |
T C =100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç Dağılım |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
8 |
|
nH |
R CC+EE |
Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal |
|
0.75 |
|
mΩ |
△ p |
△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C |
|
64 |
|
mbar |
|
p |
Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk T taban plakası <40 o C T taban plakası >40 o C (başlangıçtaki basınç) |
|
|
2.5 2.0 |
bar |
|
R thJF |
Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C |
|
0.098 0.140 |
0.114 0.160 |
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida |
3.6 1.8 |
|
4.4 2.2 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
750 |
|
g |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.
EN
