Kısa tanıtım eylem
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 650A
Özellikler
-
Düşük V CE (sat ) Çukur IGBT tEKNOLOJİ
-
10 μs kısa devre kapasitesi i̇letişim
-
V CE (sat ) i̇le pozitif sıcaklık katsayı
-
Maksimum çapraz sıcaklık 175o C
-
Yeniden üretimi için genişletilmiş diyot operasyon
- İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
-
Yüksek güç ve ısı döngüsü kapasabil bu
Tipik Uygulamalar
- Yüksek Güçlü Değiştiricisi
- Rüzgar ve Güneş Enerjisi
- Çekim Sürücüsü
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1700 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C
@ T C = 100o C
|
1073
650
|
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
1300 |
A |
P D |
Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o C |
4.2 |
kw |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1700 |
V |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
650 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
1300 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama Sıcaklığı Menzil |
-40 ile +150 arasında |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada. |
4000 |
V |
IGBT Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene
Doymak Voltajı
|
Ben C =650A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.90 |
2.35 |
V
|
Ben C =650A,V GE =15V, T j =125 o C |
|
2.35 |
|
Ben C =650A,V GE =15V, T j =150 o C |
|
2.45 |
|
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF
Akım
|
V CE = V CES ,V GE =0V,
T j =25 o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
2.3 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
72.3 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme
Kapasite
|
|
1.75 |
|
nF |
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE - Hayır. 15...+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =650A, R Git = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =±15V,T j =25 o C
|
|
468 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
86 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
850 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
363 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
226 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
161 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =650A, R Git = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 125o C
|
|
480 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
110 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
1031 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
600 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
338 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
226 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =650A, R Git = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 150o C
|
|
480 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
120 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
1040 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
684 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
368 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
242 |
|
mJ |
|
Ben SC
|
SC Verileri
|
t P ≤ 10μs,V GE =15V,
T j =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V
|
|
2600
|
|
A
|
Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V F
|
Diyot ileriye
Voltaj
|
Ben F =650A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Ben F =650A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.98 |
|
Ben F =650A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
2.02 |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =25 o C
|
|
176 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
765 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
87.4 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE - Hayır. 15V T j = 125o C
|
|
292 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
798 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
159 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE - Hayır. 15V T j = 150o C
|
|
341 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
805 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
192 |
|
mJ |
NTC Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Değişim ile ilgili R 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
18 |
|
nH |
R CC+EE |
Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal |
|
0.30 |
|
mΩ |
R - Yürü |
İlişki (İGB başına) T)
Çapraz-Kase (D başına) (iod)
|
|
|
35.8
71.3
|
K/kW |
|
R thCH
|
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)
Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)
Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)
|
|
13.5
26.9
4.5
|
|
K/kW |
|
M
|
Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantısı Tork, M8 vida Montaj Döner, M5 vida |
1.8
8.0
3.0
|
|
2.1
10.0
6.0
|
N.M
|
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
810 |
|
g |
EN
