Kısa tanıtım
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 600A.
Özellikler
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
- 10μs kısa devre kapasitesi
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
- En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
- İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
Tipik Uygulamalar
- Motorlu tahrik için inverter
- AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
- Kesintisiz güç kaynağı
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1700 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben C |
Toplayıcı Akım @ T C =25 o C
@ T C = 100o C
|
1069
600
|
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akım t p =1 bayan |
1200 |
A |
P D |
Maksimum Güç Dağılım @ T j =175 o C |
4166 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1700 |
V |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Akım |
600 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
1200 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı atür |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 için +150 |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40 için +125 |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltaj RMS , f=50 Hz , t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V CE (sat )
|
Toplayıcıdan Verene
Doymak Voltajı
|
Ben C =600A, V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
Ben C =600A, V GE =15V, T j =125 o C |
|
2.25 |
|
Ben C =600A, V GE =15V, T j =150 o C |
|
2.35 |
|
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C = 12.0mA ,V CE = V GE ,T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı kesimi
Akım
|
V CE = V CES ,V GE =0V,
T j =25 o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V,
T j =25 o C
|
|
|
400 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci |
|
|
1.1 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V, f=1 MHz ,
V GE =0V
|
|
72.3 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme
Kapasite
|
|
1.75 |
|
nF |
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE - Hayır. 15...+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V, Ben C =600A, R G = 1,0Ω, V GE =±15V, T j =25 o C
|
|
160 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
67 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
527 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
138 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
154 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
132 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V, Ben C =600A, R G = 1,0Ω, V GE =±15V, T j = 125o C
|
|
168 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
80 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
585 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
168 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
236 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
189 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V, Ben C =600A, R G = 1,0Ω, V GE =±15V, T j = 150o C
|
|
192 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
80 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
624 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
198 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
259 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
195 |
|
mJ |
|
Ben SC
|
SC Verileri
|
t P ≤ 10μs, V GE =15V,
T j =150 o C ,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V
|
|
2400
|
|
A
|
Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birimler |
|
V F
|
Diyot ileriye
Voltaj
|
Ben F =600A, V GE =0V, T j =25 o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
Ben F =600A, V GE =0V, T j = 125o C |
|
1.90 |
|
Ben F =600A, V GE =0V, T j = 150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V, Ben F =600A,
-di /dt =6700A/μs, V GE - Hayır. 15V T j =25 o C
|
|
153 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
592 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
76.5 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V, Ben F =600A,
-di /dt =6700A/μs, V GE - Hayır. 15V T j =125 o C
|
|
275 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
673 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
150 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V, Ben F =600A,
-di /dt =6700A/μs, V GE - Hayır. 15V T j =150 o C
|
|
299 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
690 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
173 |
|
mJ |
NTC Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Değişim ile ilgili R 100 |
T C = 100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B- değer |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B- değer |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B- değer |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
20 |
|
nH |
R CC + EE ’ |
Modül Kurşun Direnci, Terminal chip'e |
|
1.10 |
|
mΩ |
R - Yürü |
Kavşak -için -Vaka (her IGBT )
Kavşak -için -Vaka (her Diyot )
|
|
|
0.036
0.073
|
K/W |
|
R thCH
|
Vaka -için -Isı çubuğu (her IGBT )
Vaka -için -Isı çubuğu (her Diyot )
Kürsüden ısı alacağı (modül başına)
|
|
0.027
0.055
0.009
|
|
K/W
|
M |
Terminal Bağlantı Döner, Vurulmuş📌 M6 Montaj Tork , Vurulmuş📌 M 5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.M |
G |
Ağırlığı Modül |
|
350 |
|
g |
EN
