GD400HFX170C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

648

400

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

800

A

P D

Maksimum Güç Çöklenti T =175 o C

2380

W

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

400

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

800

A

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =400A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

Ben C =400A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

Ben C =400A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

Akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.88

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

48.2

nF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.17

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15V... +15V

3.77

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =400A, R G =0,82Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

204

ns

t r

Kalkma zamanı.

38

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

425

ns

t f

Sonbahar zamanı

113

ns

E oN

Aç Anahtarlama

Kayıp

97.9

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

84.0

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =400A, R G =0,82Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

208

ns

t r

Kalkma zamanı.

50

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

528

ns

t f

Sonbahar zamanı

184

ns

E oN

Aç Anahtarlama

Kayıp

141

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

132

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =400A, R G =0,82Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

216

ns

t r

Kalkma zamanı.

50

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

544

ns

t f

Sonbahar zamanı

204

ns

E oN

Aç Anahtarlama

Kayıp

161

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

137

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 100V, V CEM ≤1700V

1600

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =400A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

Ben F =400A,V GE =0V,T j =125 o C

1.90

Ben F =400A,V GE =0V,T j =150 o C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =25 o C

116

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

666

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

63.8

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =125 o C

187

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

662

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

114

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =150 o C

209

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

640

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

132

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

R CC+EE

Modül Kurşun Direnci nce, terminal chip'e

0.35

mΩ

R - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.063

0.105

K/W

R thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.032

0.053

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

g