Kısa tanıtım
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.
Özellikler
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
- Düşük geçiş kaybı
- Kısa devre yeteneği
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
- En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- DBC teknolojisi kullanılarak izole edilmiş ısı alıcı
Tipik Uygulamalar
- Güneş Enerjisi
- UPS
- 3-düzeyli- başvuru
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
T1,T4 IGBT
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değerler |
BİRİM |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
IC |
Toplayıcı Akımı @ T C=25o C
@ T C= 100o C
|
339
200
|
A |
ICm |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p = 1ms |
400 |
A |
PD |
Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C |
1456 |
G |
D1,D4 Diod
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
BİRİM |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1200 |
V |
IF |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
75 |
A |
IFm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p = 1ms |
150 |
A |
T2,T3 IGBT
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
BİRİM |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
650 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
IC |
Toplayıcı Akımı @ T C=25o C
@ T C=95o C
|
158
100
|
A |
ICm |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p = 1ms |
200 |
A |
PD |
Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C |
441 |
G |
D2,D3 Diod
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
BİRİM |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
650 |
V |
IF |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
100 |
A |
IFm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p = 1ms |
200 |
A |
Modül
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
BİRİM |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama Sıcaklığı Menzil |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK |
2500 |
V |
T1,T4 IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene
Doymak Voltajı
|
IC= 100A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.40 |
1.85 |
V
|
IC= 100A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
1.65 |
|
IC= 100A,V GE = 15V, T j =150o C |
|
1.70 |
|
V GE (th) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ICES |
Toplayıcı Kesilir -OFF
Mevcut
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Çubuk Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
3.8 |
|
ω |
Cies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
20.7 |
|
nF |
Cres |
Geriye dönüştürme
Kapasite
|
|
0.58 |
|
nF |
S G |
Geçit Ücreti |
V GE =- 15...+15V |
|
1.56 |
|
μC |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C= 100A, Çubuk G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C
|
|
142 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
25 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
352 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
33 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
1.21 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
3.90 |
|
mJ |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C= 100A, Çubuk G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C
|
|
155 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
29 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
440 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
61 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
2.02 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
5.83 |
|
mJ |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C= 100A, Çubuk G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C
|
|
161 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
30 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
462 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
66 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
2.24 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
6.49 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC Verileri
|
t P≤ 10μs,V GE =15V,
T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
800
|
|
A
|
D1,D4 Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
|
V F
|
Diyot ileriye
Voltaj
|
IF =75A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IF =75A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
IF =75A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =400V,I F =75A,
-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
8.7 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
122 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
2.91 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =400V,I F =75A,
-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C
|
|
17.2 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
143 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
5.72 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =400V,I F =75A,
-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C
|
|
19.4 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
152 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
6.30 |
|
mJ |
T2,T3 IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene
Doymak Voltajı
|
IC= 100A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.45 |
1.90 |
V
|
IC= 100A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
1.60 |
|
IC= 100A,V GE = 15V, T j =150o C |
|
1.70 |
|
V GE (th) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
IC= 1.60mA,V CE =V GE , T j =25o C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
ICES |
Toplayıcı Kesilir -OFF
Mevcut
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Çubuk Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
2.0 |
|
ω |
Cies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
11.6 |
|
nF |
Cres |
Geriye dönüştürme
Kapasite
|
|
0.23 |
|
nF |
S G |
Geçit Ücreti |
V GE =- 15...+15V |
|
0.69 |
|
μC |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C= 100A, Çubuk G=3.3Ω,V GE =±15V, T j =25o C
|
|
44 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
20 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
200 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
28 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
1.48 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
2.48 |
|
mJ |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C= 100A, Çubuk G=3.3Ω,V GE =±15V, T j = 125o C
|
|
48 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
24 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
216 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
40 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
2.24 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
3.28 |
|
mJ |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =400V,I C= 100A, Çubuk G=3.3Ω,V GE =±15V, T j = 150o C
|
|
52 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
24 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
224 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
48 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
2.64 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
3.68 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC Verileri
|
t P≤6μs,V GE = 15V,
T j =150o C,V CC =360V, V CEM ≤650V
|
|
500
|
|
A
|
D2,D3 Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
|
V F
|
Diyot ileriye
Voltaj
|
IF = 100A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.55 |
2.00 |
V
|
IF = 100A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.50 |
|
IF = 100A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.45 |
|
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =400V,I F = 100A,
-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
3.57 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
99 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
1.04 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =400V,I F = 100A,
-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C
|
|
6.49 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
110 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
1.70 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =400V,I F = 100A,
-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C
|
|
7.04 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
110 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
1.81 |
|
mJ |
NTC Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
Çubuk 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Değişim nın Çubuk 100 |
T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
|
Çubuk - Yürü
|
Çapraz-Kase (T1 başına), T4 IGBT)
Birleşim-Kabuk (her D1,D4 Dio için) de)
Birleşim-Kabuk (her T2 için) T3 IGBT)
Birleştikten-Case (D2,D3 Dio başına) de)
|
|
0.094
0.405
0.309
0.544
|
0.103
0.446
0.340
0.598
|
K/W
|
|
Çubuk thCH
|
Kürsüden ısı toplayıcıya (her T1,T4 IGBT)
Case-Işığı (D1,D4 başına) Diyot)
Kürsüden ısı toplayıcıya (her T2,T3 IGBT)
Case-Işığı (D2,D3 başına) Diyot)
Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)
|
|
0.126
0.547
0.417
0.733
0.037
|
|
K/W
|
F |
Her Çividen Kuruluş Kuvveti |
40 |
|
80 |
N |
G |
Ağırlık nın Modül |
|
39 |
|
g |
EN
