GD200TLQ120L3S, IGBT Modülü, 3-düzey, STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C

@ T C = 100o C

339

200

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p = 1ms

400

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

1456

G

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

B F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

75

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p = 1ms

150

Bir

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

650

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C

@ T C =95o C

158

100

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p = 1ms

200

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

441

G

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

650

V

B F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

100

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p = 1ms

200

Bir

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

B C = 100A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

B C = 100A,V GE = 15V, T j =125o C

1.65

B C = 100A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

3.8

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.58

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

1.56

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, Çubuk G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

142

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

25

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

352

ns

t f

Sonbahar zamanı

33

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama

Kayıp

1.21

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

3.90

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, Çubuk G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

155

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

29

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

440

ns

t f

Sonbahar zamanı

61

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama

Kayıp

2.02

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

5.83

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, Çubuk G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

30

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

462

ns

t f

Sonbahar zamanı

66

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama

Kayıp

2.24

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

6.49

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

800

Bir

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

B F =75A,V GE =0V,T j =25o C

1.70

2.15

V

B F =75A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

B F =75A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

8.7

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

122

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

2.91

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

17.2

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

143

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

5.72

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

19.4

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

152

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.30

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

B C = 100A,V GE = 15V, T j =25o C

1.45

1.90

V

B C = 100A,V GE = 15V, T j =125o C

1.60

B C = 100A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C = 1.60mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.5

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.0

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

11.6

nF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.23

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

0.69

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, Çubuk G =3.3Ω,V GE =±15V, T j =25o C

44

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

20

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

200

ns

t f

Sonbahar zamanı

28

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama

Kayıp

1.48

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

2.48

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, Çubuk G =3.3Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

48

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

24

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

216

ns

t f

Sonbahar zamanı

40

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama

Kayıp

2.24

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

3.28

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, Çubuk G =3.3Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

52

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

24

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

224

ns

t f

Sonbahar zamanı

48

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama

Kayıp

2.64

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

3.68

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤6μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =360V, V CEM ≤650V

500

Bir

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

B F = 100A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

B F = 100A,V GE =0V,T j = 125o C

1.50

B F = 100A,V GE =0V,T j = 150o C

1.45

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

3.57

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

99

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

1.04

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

6.49

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

110

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

1.70

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

7.04

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

110

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

1.81

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

δR/R

Değişim nın Çubuk 100

T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

Çubuk - Yürü

Çapraz-Kase (T1 başına), T4 IGBT)

Birleşim-Kabuk (her D1,D4 Dio için) de)

Birleşim-Kabuk (her T2 için) T3 IGBT)

Birleştikten-Case (D2,D3 Dio başına) de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her T1,T4 IGBT)

Case-Işığı (D1,D4 başına) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her T2,T3 IGBT)

Case-Işığı (D2,D3 başına) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Her Çividen Kuruluş Kuvveti

40

80

N

G

Ağırlık nın Modül

39

g