Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD200HFX120C8SN,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1200V 200A, Ambalaj:C8

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200HFX120C8SN
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER .1200V 200A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C @ T C=100o C

363

200

A

ICRM

Tekrarlayan Zirve Toplayıcı Mevcut tp sınırlı tarafından T vjop

400

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

1293

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

200

A

IFRM

Tekrarlayan Zirve İleri Mevcut tp sınırlı tarafından T vjop

400

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

2500

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.00

IC=200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.05

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=8.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.0

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.6

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.52

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

1.40

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25o C

140

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

31

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

239

ns

t f

Sonbahar zamanı

188

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

11.2

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

13.4

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =125o C

146

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

36

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

284

ns

t f

Sonbahar zamanı

284

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

19.4

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

18.9

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =150o C

148

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

37

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

294

ns

t f

Sonbahar zamanı

303

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

21.7

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

19.8

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, T vj =25o C

20.0

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

220

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

7.5

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, T vj =125o C

34.3

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

209

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

12.9

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, T vj =150o C

38.7

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

204

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

14.6

mJ

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.116 0.185

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.150 0.239 0.046

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M5 vida

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

G

Ağırlık nın Modül

200

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000