Kısa tanıtım
IGBT modülü ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.
Özellikler
- NPT IGBT teknolojisi
- 10μs kısa devre kapasitesi
- Düşük değişim kayıpları
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
- İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
Tipik Uygulamalar
- Aktarma modu güç kaynağı
- Indüktif ısıtma
- Elektronik kaynak
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
BİRİM |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
EC |
Toplayıcı Akımı @ T C=25ü C
@ T C=65ü C
|
262
200
|
K |
ECm |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
400 |
K |
PY |
Maksimum güç Dağılımı @ T j =150ü C |
1315 |
E |
Diyot
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
BİRİM |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1200 |
V |
EF |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
200 |
K |
EFm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
400 |
K |
Modül
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
BİRİM |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
150 |
ü C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40'tan +125'e kadar |
ü C |
T STG |
Depolama Sıcaklığı Menzil |
-40'tan +125'e kadar |
ü C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK |
2500 |
V |
IGBT Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Maks. |
BİRİM |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene
Doymak Voltajı
|
EC=200A,V GE =15V, T j =25ü C |
|
3.00 |
3.45 |
V
|
EC=200A,V GE =15V, T j =125ü C |
|
3.80 |
|
V GE (th) |
Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim |
EC=2.0mA ,V CE =V GE , T j =25ü C |
4.4 |
5.3 |
6.0 |
V |
ECES |
Toplayıcı Kesilir -OFF
Akım
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25ü C
|
|
|
5.0 |
mA |
EGES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C |
|
|
400 |
nA |
Çubuk Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
1.3 |
|
ω |
Cies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
13.0 |
|
nF |
Cres |
Geriye dönüştürme
Kapasite
|
|
0.85 |
|
nF |
S E |
Geçit Ücreti |
V GE =- 15...+15V |
|
2.10 |
|
μC |
t l (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C=200A, Çubuk E=4.7Ω,V GE =±15V, T j =25ü C
|
|
87 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
40 |
|
ns |
t l (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
451 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
63 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
6.8 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
11.9 |
|
mJ |
t l (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C=200A, Çubuk E=4.7Ω,V GE =±15V, T j = 125ü C
|
|
88 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
44 |
|
ns |
t l (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
483 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
78 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
11.4 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
13.5 |
|
mJ |
|
ESC
|
SC Verileri
|
t P≤ 10μs,V GE =15V,
T j =125ü C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1300
|
|
K
|
Diyot Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Maks. |
BİRİM |
V F |
Diyot ileriye
Gerilim
|
EF =200A,V GE =0V,T j =25ü C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
EF =200A,V GE =0V,T j =125ü C |
|
2.00 |
|
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =25ü C
|
|
13.3 |
|
μC |
ERM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
236 |
|
K |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
6.6 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =125ü C
|
|
23.0 |
|
μC |
ERM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
269 |
|
K |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
10.5 |
|
mJ |
Modül Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Maks. |
BİRİM |
Çubuk - Yürü |
İlişki (İGB başına) T)
Çapraz-Kase (D başına) (iod)
|
|
|
0.095
0.202
|
K/W |
|
Çubuk thCH
|
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)
Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)
Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)
|
|
0.135
0.288
0.046
|
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
E |
Ağırlık nın Modül |
|
200 |
|
e |
EN
