Kısa tanıtım
IGBT modülü ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.
Özellikler
- NPT IGBT teknolojisi
- 10μs kısa devre kapasitesi
- Düşük değişim kayıpları
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
- İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
Tipik Uygulamalar
- Aktarma modu güç kaynağı
- Indüktif ısıtma
- Elektronik kaynak
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
IC |
Toplayıcı Akımı @ T C=25o C
@ T C=65o C
|
262
200
|
A |
ICm |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
400 |
A |
PD |
Maksimum güç Dağılımı @ T j =150o C |
1315 |
G |
Diyot
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1200 |
V |
IF |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
200 |
A |
IFm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
400 |
A |
Modül
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
150 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
T STG |
Depolama Sıcaklığı Menzil |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK |
2500 |
V |
IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene
Doymak Voltajı
|
IC=200A,V GE =15V, T j =25o C |
|
3.00 |
3.45 |
V
|
IC=200A,V GE =15V, T j =125o C |
|
3.80 |
|
V GE (th) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
IC=2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
4.4 |
5.3 |
6.0 |
V |
ICES |
Toplayıcı Kesilir -OFF
Mevcut
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Çubuk Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
1.3 |
|
ω |
Cies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
13.0 |
|
nF |
Cres |
Geriye dönüştürme
Kapasite
|
|
0.85 |
|
nF |
S G |
Geçit Ücreti |
V GE =- 15...+15V |
|
2.10 |
|
μC |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=4.7Ω,V GE =±15V, T j =25o C
|
|
87 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
40 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
451 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
63 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
6.8 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
11.9 |
|
mJ |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=4.7Ω,V GE =±15V, T j = 125o C
|
|
88 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
44 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
483 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
78 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
11.4 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
13.5 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC Verileri
|
t P≤ 10μs,V GE =15V,
T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1300
|
|
A
|
Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V F |
Diyot ileriye
Voltaj
|
IF =200A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
IF =200A,V GE =0V,T j =125o C |
|
2.00 |
|
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
13.3 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
236 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
6.6 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =125o C
|
|
23.0 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
269 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
10.5 |
|
mJ |
Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
Çubuk - Yürü |
İlişki (İGB başına) T)
Çapraz-Kase (D başına) (iod)
|
|
|
0.095
0.202
|
K/W |
|
Çubuk thCH
|
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)
Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)
Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)
|
|
0.135
0.288
0.046
|
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Ağırlık nın Modül |
|
200 |
|
g |
EN
