Kısa tanıtım
IGBT modülü ,CRRC tarafından üretilen yüksek voltajlı, tek anahtar IGBT modülleri. 3300V 400A.
Özellikler
●SPT+alt anahtarlama için çip seti kayıpları |
●Bu V CEsat |
●Sürüşü düşük tutmak güç |
●A yüksek için lSiC taban plakası güç c döngü kapasite y |
●AlN altı düşük termal için direnç |
Tipik uygulama
●Çekiş sürücüleri |
●DC kesici |
●Orta gerilimli hava değiştiriciler |
En yüksek nominal değerler
Parametre |
Sembolik |
Koşullar |
min |
maks. |
Birim |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
VCES |
VGE =0V,Tvj ≥25°C |
|
3300 |
V |
DC kolektör akımı |
Ic |
TC =80°C |
|
400 |
Bir |
Zirve kollektör akımı |
ICM |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
800 |
Bir |
Kapı-Emitör Voltajı |
VGES |
|
-20 |
20 |
V |
Toplam güç dağılımı |
Ptot |
TC =25°C, anahtar başına (IGBT) |
|
7100 |
G |
DC İleri Akım |
IF |
|
|
400 |
Bir |
Zirve ileri akım |
IFRM |
tp=1ms |
|
800 |
Bir |
Aşırı akım |
IFSM |
VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, yarım sinüs dalgası |
|
3000 |
Bir |
IGBT Kısa Devre SOA |
tpsc |
VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
İzolasyon voltajı |
Visol |
1 dakikada, f=50Hz |
|
10200 |
V |
Çapraz sıcaklık |
Tvj |
|
|
150 |
℃ |
Junction çalışma sıcaklığı |
Tvj ((op) |
|
-50 |
150 |
℃ |
Kasa sıcaklığı |
TC |
|
-50 |
125 |
℃ |
Depolama Sıcaklığı |
TSTG |
|
-50 |
125 |
℃ |
|
Montaj torkları
|
MS |
Temel ısı yıkayıcı ，M6 vidaları |
4 |
6 |
Nm
|
Mt1 |
Ana terminaller ，M8 vitleri |
8 |
10 |
IGBT özellik değerleri
Parametre |
Sembolik |
Koşullar |
Min |
tip |
maks. |
Birim |
Toplayıcı (emitör) arıza voltajı |
V ((BR) CES |
VGE =0V,IC =5mA, Tvj =25°C |
3300 |
|
|
V |
Toplayıcı-Emiter Doyma Gerilimi |
VCEsat |
IC = 400A, VGE = 15V |
Tvj= 25°C |
|
3.0 |
|
V |
Tvj=125°C |
|
3.6 |
|
V |
Kolektör kesme akımı |
ICES |
VCE = 3300V, VGE = 0V |
Tvj= 25°C |
|
|
5 |
mA |
Tvj=125°C |
|
|
50 |
mA |
Kapı sızıntı akımı |
IGES |
VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C |
-500 |
|
500 |
nA |
Kapı-Emitör Sınır Voltajı |
VGE (th) |
IC = 80mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C |
5.5 |
|
7.5 |
V |
Geçit Ücreti |
Genel Merkezi |
IC = 400A, VCE = 1800V, VGE = 15V... 15V |
|
4.0 |
|
μC |
Girdi Kapasitesi |
- Evet. |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C
|
|
65 |
|
nF
|
Çıkış Kapasitesi |
Koçlar |
|
3.7 |
|
Ters transfer kapasitansı |
Cres |
|
0.8 |
|
Açma Gecikme Zamanı |
td ((on) |
VCC = 1800V,
IC = 400A,
RG = 2,3Ω,
VGE = ± 15V,
Lσ=280nH,
感性负载 (duygu yükü)
|
Tvj = 25 °C |
|
650 |
|
ns
|
Tvj = 125 °C |
|
750 |
|
Kalkma zamanı. |
tr |
Tvj = 25 °C |
|
400 |
|
Tvj = 125 °C |
|
470 |
|
Kapatma gecikme süresi |
td ((off) |
Tvj = 25 °C |
|
1600 |
|
ns
|
Tvj = 125 °C |
|
1800 |
|
Sonbahar zamanı |
tF |
Tvj = 25 °C |
|
1100 |
|
Tvj = 125 °C |
|
1200 |
|
Açma anahtarlama kaybı enerjisi |
Eon |
Tvj = 25 °C |
|
1400 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1800 |
|
Kapatma anahtarlama kaybı enerjisi |
Eof |
Tvj = 25 °C |
|
1300 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1700 |
|
Kısa devre akımı |
Isc |
tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V |
|
2500 |
|
Bir |
Diyot Karakteristik Değerleri
Parametre |
Sembolik |
Koşullar |
min |
tip |
maks. |
Birim |
İleri Voltaj |
VF |
IF = 400A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
V |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
Ters İyileşme Akımı |
Irr |
VCC = 1800V,
IC = 400A,
RG = 2,3Ω,
VGE = ± 15V,
Lσ=280nH,
|
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
Bir |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
Geri Alınan Ücret |
Qrr |
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
μC |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
Ters İyileşme Süresi |
trr |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
ns |
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
Geri dönüştürülmüş enerji |
Erec |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
EN
