Kısa tanıtım 
IGBT modülü ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1 700V 1200A ,A3 .
Özellikler 
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi 
- 10μs kısa devre kapasitesi 
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat) 
- En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC 
- Düşük endüktansa olan bir vaka 
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD 
- Yüksek güçlü bisiklet kapasitesi için AlSiC taban plaka 
- 
Düşük termal direnci için AlN alt tabaka cE 
Tipik Uygulamalar 
- AC İnverter Sürücüleri 
- Değiştirme modundaki güç kaynakları 
- Elektronik kaynak makineleri 
Mutlak  Maksimum  Değerlendirmeler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
IGBT 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| V CES  | Toplayıcı-Sütücü Voltajı  | 1700 | V  | 
| V GES  | Kapı-Emitör Voltajı  | ±20  | V  | 
| Ben   C    | Toplayıcı Akımı @ T C   =25 o   C @ T   C   =100 o   C    | 2206 1200 | A  | 
| Ben   CM  | Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms  | 2400 | A  | 
| P D  | Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o   C    | 8.77 | Kw    | 
Diyot 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| V RRM  | Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş  | 1700 | V  | 
| Ben   F  | Diyot Sürekli İleri Cu kiralık  | 1200 | A  | 
| Ben   Fm  | Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms  | 2400 | A  | 
Modül 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| T   jmax  | En yüksek kavşak sıcaklığı  | 175 | o   C    | 
| T   yapma  | Hareket noktası sıcaklığı  | -40 ile +150 arasında  | o   C    | 
| T   STG  | Depolama sıcaklık aralığı  | -40'tan +125'e kadar  | o   C    | 
| V ISO    | İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.  | 4000 | V  | 
IGBT  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Test koşulları  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
|     V CE (sat)  |     Toplayıcıdan Verene  Doymak Voltajı  | Ben   C   =1200A,V GE =15V,  T   j =25 o   C    |   | 1.85 | 2.20 |     V  | 
| Ben   C   =1200A,V GE =15V,  T   j =125 o   C    |   | 2.25 |   | 
| Ben   C   =1200A,V GE =15V,  T   j =150 o   C    |   | 2.35 |   | 
| V GE (th   ) | Geçit-Bölücü Sınırı  Voltaj    | Ben   C   =48.0 mA ,V CE = V GE , T   j =25 o   C    | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V  | 
| Ben   CES  | Toplayıcı  Kes -OFF Akım  | V CE = V CES ,V GE =0V,  T   j =25 o   C    |   |   | 5.0 | mA  | 
| Ben   GES  | Geçit-Emitör Sızıntıları  Akım  | V GE = V GES ,V CE =0V, T   j =25 o   C    |   |   | 400 | nA  | 
| R Gint  | İç kapı direnci  |   |   | 1.0 |   | ω    | 
| C   ies  | Girdi Kapasitesi  | V CE =25V,f=1MHz,  V GE =0V  |   | 145 |   | nF  | 
| C   res  | Geriye dönüştürme  Kapasite  |   | 3.51 |   | nF  | 
| Q G  | Geçit Ücreti  | V GE =-15  ...+15V  |   | 11.3 |   | μC  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =900V,I C   =1200A,  R G =1.0Ω,  V GE =-9/+15V,  L   Sahip =65 nH ,T   j =25 o   C    |   | 440 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 112 |   | ns  | 
| t   d (((off)  | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 1200 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 317 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 271 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 295 |   | mJ  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =900V,I C   =1200A,  R G =1.0Ω,  V GE =-9/+15V,  L   Sahip =65 nH ,T   j =125 o   C    |   | 542 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 153 |   | ns  | 
| t   d (((off)  | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 1657 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 385 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 513 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 347 |   | mJ  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =900V,I C   =1200A,  R G =1.0Ω,  V GE =-9/+15V,  L   Sahip =65 nH ,T   j =150 o   C    |   | 547 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 165 |   | ns  | 
| t   d (((off)  | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 1695 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 407 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 573 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 389 |   | mJ  | 
|   Ben   SC  |   SC Verileri  | t   P ≤ 10μs, V GE =15V,  T   j =150 o   C,V CC =1000V,  V CEM ≤1700V  |   |   4800 |   |   A  | 
Diyot  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Test koşulları  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
|   V F  | Diyot ileriye  Voltaj    | Ben   F =1200A,V GE =0V, T j =25℃  |   | 1.80 | 2.25 |   V  | 
| Ben   F =1200A,V GE =0V, T j =125℃  |   | 1.90 |   | 
| Ben   F =1200A,V GE =0V, T j =150℃  |   | 1.95 |   | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  |   V CC =900V,I F =1200A,  -di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L   Sahip =65nH,T j =25℃  |   | 190 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 844 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma  Enerji  |   | 192 |   | mJ  | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  |   V CC =900V,I F =1200A,  -di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L   Sahip =65nH,T j =125℃  |   | 327 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 1094 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma  Enerji  |   | 263 |   | mJ  | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  |   V CC =900V,I F =1200A,  -di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L   Sahip =65nH,T j =150℃  |   | 368 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 1111 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma  Enerji  |   | 275 |   | mJ  | 
 
Modül  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
| L   CE  | Savrulan endüktansa  |   | 12 |   | nH  | 
| R CC+EE  | Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe  |   | 0.19 |   | mΩ  | 
| R - Yürü  | Kavşak -için   -Vaka  (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)  |   |   | 17.1 26.2 | K/kW  | 
|   R thCH  | Vaka -için   -Isı çubuğu  (perIGBT )Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)  |   | 9.9  15.2 6.0 |   | K/kW  | 
|   M    | Güç Terminalı  Vuruş: M4  Güç Terminalı  Vuruş: M8  Montaj Vida:M6  | 1.8  8.0  4.25 |   | 2.1  10.0 5.75 |   N.M  | 
| G  | Ağırlık  ile ilgili  Modül  |   | 1050 |   | g  |