Kısa tanıtım 
IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 100A. 
Özellikler 
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi 
- 10μs kısa devre kapasitesi 
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat) 
- 
Maksimum birleşim sıcaklığı 175 ℃ 
- Düşük endüktansa olan bir vaka 
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD 
- İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak 
Tipik Uygulamalar 
- Aktarma modu güç kaynağı 
- Indüktif ısıtma 
- Elektronik kaynak 
 
Mutlak  Maksimum  Değerlendirmeler  T   F =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi  
IGBT 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| V CES  | Toplayıcı-Sütücü Voltajı  | 1200 | V  | 
| V GES  | Kapı-Emitör Voltajı  | ±20  | V  | 
| Ben   C    | Toplayıcı Akımı @ T C   =25 o   C   @ T C   =75 o   C    | 146 100 | A  | 
| Ben   CM  | Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms  | 200 | A  | 
| P D  | Maksimum güç Dağılımı @ T vj =150 o   C    | 771 | W  | 
Diyot 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| V RRM  | Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş  | 1200 | V  | 
| Ben   F  | Diyot Sürekli İleri Cu kiralık  | 100 | A  | 
| Ben   Fm  | Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms  | 200 | A  | 
Modül 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| T   vjmax  | En yüksek kavşak sıcaklığı  | 150 | o   C    | 
| T   vjop  | Hareket noktası sıcaklığı  | -40'tan +125'e kadar  | o   C    | 
| T   STG  | Depolama sıcaklık aralığı  | -40'tan +125'e kadar  | o   C    | 
| V ISO    | İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.  | 2500 | V  | 
IGBT  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Test koşulları  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
|   V CE (sat)  | Toplayıcıdan Verene  Doymak Voltajı  | Ben   C   =100A,V GE =15V,  T   vj =25 o   C    |   | 3.00 | 3.45 |   V  | 
| Ben   C   =100A,V GE =15V,  T   vj =125 o   C    |   | 3.80 |   | 
| V GE (th   ) | Geçit-Bölücü Sınırı  Voltaj    | Ben   C   =4.0 mA ,V CE = V GE , T   vj =25 o   C    | 4.5 | 5.5 | 6.5 | V  | 
| Ben   CES  | Toplayıcı  Kes -OFF Akım  | V CE = V CES ,V GE =0V,  T   vj =25 o   C    |   |   | 5.0 | mA  | 
| Ben   GES  | Geçit-Emitör Sızıntıları  Akım  | V GE = V GES ,V CE =0V, T   vj =25 o   C    |   |   | 400 | nA  | 
| R Gint  | İç kapı direnci - Ne?  |   |   | 1.0 |   | ω    | 
| C   ies  | Girdi Kapasitesi  | V CE =25V,f=1MHz,  V GE =0V  |   | 6.50 |   | nF  | 
| C   res  | Geriye dönüştürme  Kapasite  |   | 0.42 |   | nF  | 
| Q G  | Geçit Ücreti  | V GE =-15…+15V  |   | 1.10 |   | μC  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =600V,I C   =100A,   R G =9.1Ω,V GE =±15V,  LS = 48 nH ,T   vj =25 o   C    |   | 38 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 50 |   | ns  | 
| t   d (((off)  | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 330 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 27 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 8.92 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 2.06 |   | mJ  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =600V,I C   =100A,   R G =9.1Ω,V GE =±15V,  LS = 48 nH ,T   vj =125 o   C    |   | 37 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 50 |   | ns  | 
| t   d (((off)  | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 362 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 43 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 10.7 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 3.69 |   | mJ  | 
| Ben   SC  | SC Verileri  | t   P ≤ 10μs, V GE =15V,  T   vj =125 o   C   ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V  |   | 650 |   | A  | 
Diyot  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Test koşulları  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
| V F  | Diyot ileriye  Voltaj    | Ben   F =100A,V GE =0V,T vj =2 5o   C    |   | 1.85 | 2.30 | V  | 
| Ben   F =100A,V GE =0V,T vj =125 o   C    |   | 1.90 |   | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  |   V R =600V,I F =100A,  -di/dt=2245A/μs,V GE =-15V  LS = 48 nH ,T   vj =25 o   C    |   | 11.5 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 101 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma  Enerji  |   | 4.08 |   | mJ  | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  |   V R =600V,I F =100A,  -di/dt=2352A/μs,V GE =-15V  LS = 48 nH ,T   vj =125 o   C    |   | 19.0 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 120 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma  Enerji  |   | 7.47 |   | mJ  | 
 
NTC  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Test koşulları  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
| R 25 | Rating direnci  |   |   | 5.0 |   | kΩ  | 
| ∆R/R  | Değişim  ile ilgili  R 100 | T   vj  =100  o   C,R 100= 493.3Ω  | -5 |   | 5 | % | 
| P 25 | Güç    Dağılım  |   |   |   | 20.0 | mW  | 
| B 25/50  | B değeri  | R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]  |   | 3375 |   | K    | 
| B 25/80  | B değeri  | R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]  |   | 3411 |   | K    | 
| B 25/100  | B değeri  | R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]  |   | 3433 |   | K    | 
 
Modül  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
| L   CE  | Savrulan endüktansa  |   | 21 |   | nH  | 
| R CC+EE  | Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal  |   | 2.60 |   | mΩ  | 
| R - Yürü  | Kavşak -için   -Vaka  (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)  |   |   | 0.162 0.401 | K/W  | 
|   R thCH  | Vaka -için   -Lavabo    (perIGBT ) Kasadan Dökmeciye (diyot başına)  Kasa-Soğutucu (per M odül)  |   | 0.051 0.125 0.009 |   | K/W  | 
| M    | Montaj Döner,  M6 Çivit  | 3.0 |   | 6.0 | N.M  | 
| G  | Ağırlık  ile ilgili  Modül  |   | 300 |   | g  |