GD1000HFX170P2,IGBT Modülü,Yarı Köprü IGBT,STARPOWER

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Değer

Birim

VCES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

VGE = 0V, TC= 25 °C

1700

V

VGES

Kapı-Emitör Voltajı

TC= 25 °C

± 20

V

Ic

Kollektör-emiter akımı

TC = 65 °C

1400

A

IC(PK)

集电极峰值电流

Zirve kollektör akımı

tp=1ms

2800

A

Pmax

Maks. transistör güç dağılımı

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

kw

I2t

Diyot I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Visol

İzolasyon voltajı - modül başına

Taban plakası ile ortak terminaller), AC RMS,1 dk, 50Hz, TC= 25 °C

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

ICES

Kollektör kesme akımı

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

20

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

mA

IGES

Kapı sızıntı akımı

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

μA

VGE (TH)

Kapı eşik voltajı

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat)(*1)

Kollektör-emiter doygunluğu voltaj

VGE =15V, IC = 1400A

2.00

2.40

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

V

IF

Diyot ileri akımı

DC

1400

A

IFRM

Diyot tepe ileri akımı

tp = 1ms

2800

A

VF(*1)

Diyot ileri voltajı

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

V

Isc

Kısa devre akımı

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

A

- Evet.

giriş elektrik kapasitesi

Girdi Kapasitesi

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

nF

Genel Merkezi

Geçit Ücreti

±15V

11.7

μC

Cres

Ters transfer kapasitansı

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

nF

LM

Modül endüktansı

10

nH

RINT

Dahili transistör direnci

0.2

mΩ

td ((off)

Kapatma gecikme süresi

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

ns

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

tF

düşen zaman Sonbahar zamanı

Tvj= 25 °C

460

ns

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

Eof

Kapatma enerji kaybı

Tvj= 25 °C

460

mJ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

ns

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

- Evet.

Kalkma zamanı.

Tvj= 25 °C

112

ns

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

Eon

Açma enerji kaybı

Tvj= 25 °C

480

mJ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

Diyot Ters

geri Kazanım Yükü

IF =1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

μC

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Irr

Diyot Ters

geri kazanım akımı

Tvj= 25 °C

790

A

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Erec

Diyot Ters

geri kazanım enerjisi

Tvj= 25 °C

190

mJ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290