YT-ASC50L4500IC#, Asymmetrisk IGCT-enhet,

Symbol

Parameter

Villkor

Mi

Typisk

Max

V _DRM

Rep. topp avstängningsspänning

T _Vj =125℃, I _D≤I DRM, t _p =10ms

–

–

4500

V

I_DRM

Rep. topp avstängningsström

T _Vj =125℃, V _D=V DRM, t _p =10ms

–

–

50

mA

d _v /d_t

Kritisk hastighet av ökning av anodspänning

T _Vj =125℃, V _D=0.67V _DRM

–

–

1000

V/μs

V _{DClin K}

Permanent DC-spänning för 100 FIT

felprocent av GCT

Tillåten mellanliggande DC-spänning av 100FIT felprocent

–

–

2800

V

V _RRM

Omvänd spänning

\

–

–

17

V

Symbol

Parameter

Villkor

Mi

Typisk

Max

I_T(RMS)

Max. RMS på-lägesström

T _C= 85°C, Sin l halva våg, dubbel sidokylning

–

–

3000

A

I_TSM

I ²_t

Max. topp icke-repetitiv överspänning på-

lägesström

Begränsande belastningsintegral

T _Vj = 125°C, sin halva våg, 10 ms,

V _D=V _R =0

–

–

–

–

35

545

KA

10⁴A² s

V _TM

På-läges spänning

T VJ = 125℃, I T =5000A

–

2.37

2.61

V

V _Till

r _T

Tröskelspänning

lutningsmotstånd

T VJ = 125℃, I T = 1000…5000A

–

–

1.22

0.28

V

mΩ

Symbol

Parameter

Villkor

Mi

Typisk

Max

di _T /dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

TVJ = 125 ℃, IT = 5000A, VD = 2800V, f=0..500Hz

–

–

5000

A/ μ s

t _don

tidsfördröjning för på-

T _Vj = 125 ℃, Jag _T = 5000 A, V _D= 2800V,

di /dt = V _D/L_i , C _CL =20μF, R _S = 0,4Ω

L_i = 3μH, L _CL = 0,3 μH

–

–

4

μ s

t _donSF

Fördröjningstid för påslagning statusfeedback

–

–

7

μ s

t _r

Stigande tid (Falltid för anodspänning)

–

–

1

μ s

E_på

Påslagning energi per puls

–

–

1.8

J

Symbol

Parameternamn

Testförhållanden

Mi

Typisk

Max

I_TGQM

Max. kontrollerbar avstängningsström

T _Vj = 125°C, V _Dm ≤V DRM, V _D=2800V,

L_CL = 0,3 μH, C _CL = 20 μF, R _S = 0,4Ω ，

f=0..300Hz

D_FWD = D _CL =SF8.FY _B 2000-45

–

–

5000

A

t _doff

Fördröjningstid för avstängning

T _Vj = 125°C, I _TGQ = 5000 A, V _D=2800V,

V _Dm ≤ V _DRM , C _CL = 20 μF, R _S = 0. 4ω,

L_i =4μH, L _CL = 0,3 μH

D_FWD = D _CL = SF8.FYB2000-45

–

–

8

μ s

t _doffSF

Avstängning fördröjningstid status

återkoppling

–

–

7

μ s

t _f

Hösttid

–

–

1

μ s

E_avstängd

Avstängning energi per puls

–

28

33

J

Symbol

Parameter

Villkor

Mi

Typisk

Max

T _Vj

T _STG

Junction driftstemperatur

Lagrings temperaturintervall

/

0

-40

–

125

60

℃

℃

R _tJC

R _thCH

Termisk resistans, junction-till- hölje

Termiska motstånd, fall-till-värmesänk

Dubbel sidad kylning

–

–

–

–

8.5

3

K/kW

K/kW

Symbol

Parameter

Villkor

Mi

Typisk

Max

V _{GIN RMS}

Gate-enhetens spänning

DC-spänning eller AC fyrkantvåg amplitud (15kHz -

100kHz). Ingen galvanisk isolering till kraftkrets.

28

–

40

V

P_{GIN Max}

Max. Gate-enhetens effektförbrukning

/

–

–

130

W

I_{GIN MIN}

Min. Ström som behövs för att starta och driva gate-enhet

Min. Ström som behövs för att starta och driva gate-enhet

2

–

–

A

I_{GIN MAX}

Intern strömbegränsning

Rektifierad genomsnittlig ström begränsad av gate-enheten

–

–

8

A

t _på(min)

t _av(min)

Min på-tid

Min av-tid

/

40

40

–

–

–

–

μ s

μ s

P_{på CS}

P_{Off CS}

P_{på SF}

P_{avstängd SF}

CS Ooptisk ingångseffekt

CS Ooptisk brus effekt

SF Ooptisk utgångseffekt

SF Ooptisk brus effekt

Giltig för 1mm plastoptisk fiber (POF)

-15

–

-19

–

–

–

–

–

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t _GLITCH

t _retrig

Pulsbreddströskel

Extern retrigger pulsbredd

Max. pulsbredd utan respons

/

–

700

–

–

400

1100

n

n

CS

Mottagare för kommandosignal

Agilent ，Typ: HFBR-2521

SF

Sändare för statusåterkoppling

Agilent ，Typ: HFBR-1521