GD400HFX170C2S,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C= 100o C

648

400

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

PD

Maximal effektförlust T =175o C

2380

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

400

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 400 A,V Generella =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 400 A,V Generella =15V, T j =125o C

2.25

IC= 400 A,V Generella =15V, T j =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC= 16 mA, V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

1.88

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

48.2

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

1.17

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15V…+15V

3.77

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C= 400A, R G=0.82Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

204

n

t r

Uppgångstid

38

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

425

n

t f

Hösttid

113

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

97.9

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

84.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C= 400A, R G=0.82Ω,V Generella =± 15 V, T j =125o C

208

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

528

n

t f

Hösttid

184

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

141

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

132

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C= 400A, R G=0.82Ω,V Generella =± 15 V, T j =150o C

216

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

544

n

t f

Hösttid

204

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

161

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

137

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 100V, V CEM ≤ 1700V

1600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 400 A,V Generella =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 400 A,V Generella =0V,T j =125o C

1.90

IF = 400 A,V Generella =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

116

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

666

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

63.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V Generella =- 15V T j =125o C

187

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

662

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

114

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V Generella =- 15V T j =150o C

209

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

640

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

132

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.063

0.105

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.032

0.053

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g