MTx800 MFx800 MT800, Thyristor/Diode Moduler, Vattenkylning

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

2000 V

2200V

2500 V

2500 V

MT3 förpackning

MT3 förpackning

MT3 förpackning

MT3F3G

MFx800-20-411F3

MFx800-22-411F3

MFx800-25-411F3

MTx står för alla typer av MTC, MTA, MTK

MFx står för alla typer av MFC, MFA, MFK

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kylt, THS=55 ℃

125

800

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

1256

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

50

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus

125

16.0

kA

I2t

I2t för smältkoordination

125

1280

10³A ²s

VTO

Tröskelspänning

125

0.98

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.35

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=2400A

25

2.35

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

10

200

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.050

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.024

℃ /W

VISO

Isoleringsspänning

50 Hz, RMS, t=1min, Iso:1mA ((MAX))

3000

V

FM

Topp för terminalanslutning ((M12)

12

16

N·m

Monteringsmoment ((M8)

10

12

N·m

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

3230

g

Översikt

411F3