GD2400SGX170C4S, IGBT-modul, Högströms igbt-modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1 700V 2400A ,C4 .

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
10 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Hög effektomvandlare
Motorstyrningar

Absolut Maximal Betyg T C =25 o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1700	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
Jag C	Samlarström @ T C =100 o C	2400	A
Jag CM	Pulsad samlarström t p =1 ms	4800	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C	15.8	kW

Diod

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt ålder	1700	V
Jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent	2400	A
Jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms	4800	A
Jag FSM	Spetsström framåt V R =0V,T p =10ms, @T j =25 o C @T j = 150 o C	18.65 15.25	kA
Jag 2t	Jag 2t-värde,V R =0V,T p =10m s,T j =25 o C Jag 2t-värde,V R =0V,T p =10ms ,t j = 150 o C	1739 1162	kA 2s

Modul

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	o C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	o C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	o C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C = 2400A,V Generella =15V, T j =25 o C		1.85	2.30	V
		Jag C = 2400A,V Generella =15V, T j =125 o C		2.25
		Jag C = 2400A,V Generella =15V, T j = 150 o C		2.35
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	Jag C =96.0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C			5.0	mA
Jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Inre portmotstånd			0.6		ω
C ies	Inmatningskapacitet	V Ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		285		nF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V Ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		7.13		nF
Q G	Portavgift	V Generella =-15…+15V		23.5		μC
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C = 2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V Generella =-9V/+15V, T j =25 o C		609		n
t r	Uppgångstid			232		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1676		n
t f	Hösttid			192		n
E på	Tänd Växling Förlust			784		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			785		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C = 2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V Generella =-9V/+15V, T j =125 o C		732		n
t r	Uppgångstid			280		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			2171		n
t f	Hösttid			243		n
E på	Tänd Växling Förlust			1350		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			1083		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C = 2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V Generella =-9V/+15V, T j = 150 o C		772		n
t r	Uppgångstid			298		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			2294		n
t f	Hösttid			298		n
E på	Tänd Växling Förlust			1533		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			1126		mJ
Jag SC	SK-uppgifter	t P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		10.5		kA

Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V F	Diod framåt Spänning	Jag F = 2400A,V Generella =0V,T j = 25o C		1.80	2.25	V
		Jag F = 2400A,V Generella =0V,T j =125 o C		1.90
		Jag F = 2400A,V Generella =0V,T j = 150 o C		1.95
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F = 2400A, -di/dt=9570A/μs,V Generella =-9V, L S =32 nH ,T j =25 o C		243		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			1656		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			274		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F = 2400A, -di/dt=7500A/μs,V Generella =-9V, L S =32 nH ,T j =125 o C		425		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			1692		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			438		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F = 2400A, -di/dt=6990A/μs,V Generella =-9V, L S =32 nH ,T j = 150 o C		534		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			1809		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			563		mJ

Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet
L Ce	Strömavtryck		6.0		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		0.10		mΩ
R tJC	Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)			9.5 15.8	K/kW
R thCH	Housse -till -Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)		6.4 10.7 4.0		K/kW
d - Sväpnad.	Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal		32.2 32.2		mm
d Klar	Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal		19.1 19.1		mm
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M
G	Vikt av Modul		2060		g