MTx1500,MFx1500,Tyristor/Diode Moduler,Luftkylning

VRRM, VDRM

Typ & Översikt

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

1800V

MT3 förpackning

MTx 1500-8-436F3

MT3 förpackning

MT3 förpackning

MT3 förpackning

MT3 förpackning

MT3 förpackning

MT3F3G

MFx1500-6-436F3

MFx 1500-8-436F3

MFx1500-10-436F3

MFx1500-12-436F3

MFx1500-14-436F3

MFx1500-16-436F3

MFx1500-18-436F3

MTx står för typ av MTC, MTA, MTK

MFx står för all typ e av MFC, MFA, MFK

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50Hz

Ensidig kylning, TC=70 ℃

125

1500

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

130

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus,

125

30

kA

I2t

I2t för smältkoordination

125

4500

10³A ²s

VTO

Tröskelspänning

125

0.80

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.14

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=3000A

25

1.60

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

40

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

1.0

3.0

V

IH

Hållström

20

200

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.025

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.018

℃ /W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Topp för terminalanslutning ((M16)

20

N·m

Monteringsmoment ((M12)

14

N·m

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

6800

g

Översikt

436F3