IGCT-kärnteknologier som möjliggör utvecklingen av kraftsystem för nästa generation

Med den snabba utvecklingen av förnybar energi, smarta elnät, energilagringssystem och högkapacitiva kraftöverföringstekniker genomgår moderna elkraftsystem en djupgående omvandling mot högre effektivitet, högre tillförlitlighet, flexibel styrning och intelligent drift.

Som en av de mest avancerade halvledarteknikerna för hög effekt kombinerar integrerad gatstyrda tyristorer (IGCT) fördelarna med hög spänningskapacitet, extremt hög strömbelastningskapacitet, låga ledningsförluster och utmärkt växlingsprestanda. Den har blivit en nyckelteknik för högeffektsomvandlare, HVDC-system, flexibla AC-transmissionssystem, industriell kraftomvandling och andra krävande applikationer.

Avancerad IGCT-teknik för högeffektsapplikationer

Baserat på innovativa enhetsstrukturer och optimerade tillverkningstekniker ger IGCT-enheter en utmärkt elektrisk prestanda och driftsäkerhet i hög-effektapplikationer.

Jämfört med konventionella krafthalvledarlösningar erbjuder IGCT-tekniken:

Extremt hög spännings- och strömkapacitet
Stödjer kraven på hög-effektenergikonvertering med spänningsklasser från mellanspänning till extremt hög spänning samt strömkapacitet i kiloampereområdet.
Låg ledningsförlust och hög energieffektivitet
Optimerade chipstrukturer minskar kraftigt ledningsförlusterna, vilket förbättrar den totala systemeffektiviteten och sänker driftkostnaderna.
Snabb växlingsprestanda och utmärkta dynamiska egenskaper
Möjliggör högpresterande styrning och snabb respons i komplexa kraftkonverteringssystem.
Hög tillförlitlighet under hårda driftförhållanden
Utformad för lång livslängd i krävande miljöer såsom elnät, transportsystem och industriella applikationer.
Icke-symmetrisk IGCT och omvändspärrande IGCT – Utökar tillämpningsmöjligheterna

För att möta de mångskiftande kraven på kraftsystemen för nästa generation inkluderar avancerade IGCT-produktplattformar både icke-symmetriska IGCT (NS-IGCT) och omvändspärrande IGCT (RB-IGCT).

Icke-symmetrisk IGCT (NS-IGCT)

Icke-symmetriska IGCT-enheter är optimerade för tillämpningar som kräver hög framåtriktad spärrspänning, stor strömkapacitet och extremt låga ledningsförluster.

Med utmärkt avstängningsförmåga och hög strömtäthet är NS-IGCT-moduler idealiskt lämpade för:

Högspännings- och mellanspänningsomvandlare;
HVDC-omvandlingssystem;
Flexibla växelströmsöverföringssystem (FACTS);
Industriella högpresterande drivsystem;
Storskaliga krafomvandlingsanläggningar.

Kombinationen av hög effekttäthet och hög tillförlitlighet möjliggör mer kompakta och effektivare omvandlingsdesigner.

IGCT med omvänd spärrfunktion (RB-IGCT)

Omvändspärrande IGCT-teknik integrerar framåt- och omvändspärrande förmåga i en enda halvledarenhet, vilket ger unika fördelar för avancerade omvandlartopologier.

RB-IGCT möjliggör:

Dubbelriktad spänningspärrförmåga;
Förenklade omvandlarkretsscheman;
Minskad systemkomplexitet och förbättrad tillförlitlighet;
Förbättrad prestanda i applikationer som kräver dubbelriktad effektflöde.

Det är särskilt lämpligt för:

Likströmsbrytare;
Hybrida kommuterade omvandlare;
Avancerade HVDC-system;
Framtidens likströmsnät och energinät.
Möjliggör elsystem för nästa generations

IGCT-teknik ger den grundläggande halvledarbasen för att bygga framtidens kraftinfrastrukturer. Genom att kombinera hög spänningskapacitet, hög strömkapacitet och överlägsen växlingsprestanda möjliggör IGCT-enheter effektiv och pålitlig energiomvandling i flera kritiska tillämpningar, inklusive:

Överföring med likström vid hög spänning (HVDC);
Flexibla växelströmsöverföringssystem (FACTS);
Mellan- och högspänningsomvandlare;
Järnvägens driftekraftsystem;
Storskaliga industriella strömförsörjningssystem;
System för anslutning av förnybar energi till elnätet;
Energilagring och högeffektsomvandlingsapplikationer.
Bygger en mer effektiv, flexibel och hållbar energiframtid

När globala energisystem rör sig mot högre nivåer av integrering av förnybar energi och elektrifiering kommer avancerade krafthalvledarteknologier att bli allt viktigare.

Med icke-symmetriska IGCT-lösningar och IGCT-lösningar med omvänd spärrfunktion kan högeffektsomvandlingssystem uppnå högre verkningsgrad, större tillförlitlighet och förbättrad flexibilitet, vilket ger kraftfullt stöd för bygget av elkraftsystem för nästa generation och accelererar övergången till en renare och smartare energiframtid.