IGBT Modul,YMIF650-45,Enkel Switch IGBT,CRRC

Parameter/参数

Symbol/符号

Villkor/条件

min

max

Enhet

Kollektor-emitterspänning 集电极 -发射极电压

V CES

V Generella =0V,T vj ≥25°C

4500

V

Samlar av likström nuvarande kollektorström

Jag C

T C =80°C

650

A

Peak samlare nuvarande 集电极峰值电流

Jag CM

tp=1ms,Tc=80°C

1300

A

Gate-emitter spänning 栅极发射极电压

V GES

-20

20

V

Total effektbegränsning 总功率损耗

P för

T C =25°C,perswitch(IGBT)

6670

W

Samma ström framåt dC framåtriktad ström

Jag F

650

A

Spetsström framåt peak framåtriktad ström

Jag Från och med den 1 januari

tP=1ms

1300

A

Överspänning nuvarande 浪涌电流

Jag FSM

V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, halv-sinusvåg

5300

A

IGBT kort kRETS SOA IGBT kortslutningssäker arbetsområde

t pSC

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤ 4500 V V Generella ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Isoleringsspänning isoleringsspänning

V isol

1min,f=50Hz

10200

V

Sammanslagningstemperatur kopplingstemperatur

T vj

150

℃

Junction drift temp eratur 工作结温

T vj(op)

-50

125

℃

Hyllestemperatur hölje temp

T C

-50

125

℃

Lagringstemperatur lagringstemperatur

T sTG

-50

125

℃

Monteringsmoment installationsmoment

M S

4

6

Nm

M T 1

8

10

M T 2

2

3

Parameter/参数

Symbol/符号

Villkor/条件

Min

tYP

max

Enhet

Samlar (- emitter) genombrott spänning

集电极 -发射极阻断电压

V (BR) CES

V Generella =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Kollektor-emitter-mättnad spänning

集电极 -发射极饱和电压

V CEsat

Jag C =650A, V Generella =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Samlare avstängd nuvarande kollektoravstängningsström

Jag CES

V CE =4500V, V Generella =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Port läckström gates läckström

Jag GES

V CE =0V,V Generella =20V, T vj =125°C

-500

500

nA

Gränsspänning för utgivare 栅极发射极阀值电压

V GE(th)

Jag C =160mA,V CE =V Generella , T vj =25°C

4.5

6.5

V

Port laddning gate-laddning

Q g

Jag C =650A,V CE =2800V, V Generella =-15V … 15V

5.4

µC

Inmatningskapacitet ingångskapacitans

C ies

V CE =25V,V Generella =0V, f=1MHz,T vj =25°C

71.4

nF

Utgångskapacitet utgångskapacitans

C övriga

4.82

Omvänd överföringskapacitet omvänd överföringskapacitans

C res

1.28

Turn-on fördröjning tid 开通延迟时间

t d(on)

V CC =2800V,

Jag C =650A,

R G =2.2ω ,

V Generella =± 15 V,

L σ =280nH,

induktiv belastning

Tvj = 25 °C

420

n

Tvj = 125 °C

528

Uppgångstid uppgångstid

t r

Tvj = 25 °C

160

Tvj = 125 °C

190

Avstängningens fördröjningstid avstängningsfördröjning

t d (avstängd )

Tvj = 25 °C

2100

n

Tvj = 125 °C

2970

Hösttid nedgångstid

t f

Tvj = 25 °C

1600

Tvj = 125 °C

2760

Slå på växling förlustenergi turn-on förlust energi

E på

Tvj = 25 °C

1000

mJ

Tvj =125 °C

1600

Avstängning förlustenergi avstängningsförlust energi

E avstängd

Tvj = 25 °C

2000

mJ

Tvj =125 °C

2740

Kortslutning nuvarande kortslutningsström

Jag SC

t pSC ≤ 10μ s, V Generella =15V, T vj = 125°C,V CC = 3400V

3940

A

Parameter/参数

Symbol/符号

Villkor/条件

min

tYP

max

Enhet

Framspänning strömtryck

V F

Jag F =650A

Tvj = 25 °C

3.2

V

Tvj = 125 °C

3.6

Omvänd återställningsström omvänd återställningsström

Jag rr

V CC =2800V,

Jag C =650A,

R G =2.2ω ,

V Generella =± 15 V,

L σ =280nH,

induktiv belastning

Tvj = 25 °C

1200

A

Tvj = 125 °C

1300

A

Återkrävt avgift återställningsladdning

Q rr

Tvj = 25 °C

450

µC

Tvj = 125 °C

550

µC

Omvänd återhämtningstid omvänd återställningstid

t rr

Tvj = 25 °C

660

n

Tvj = 125 °C

750

Omvänd återställningsenergi omvänd återställningsenergi

E rec

Tvj =25 °C

720

mJ

Tvj = 125 °C

860