GD450HFX120C6SA, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

680

450

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

900

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C

2173

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

Jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

450

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

900

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =125 o C

1.95

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T j = 150 o C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 11,3 mA,V Ce =V Generella ,T j =25 o C

5.2

5.8

6.4

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.7

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

46.6

nF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.31

nF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

3.50

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1.3Ω,

V Generella =± 15 V, T j =25 o C

203

n

t r

Uppgångstid

64

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

491

n

t f

Hösttid

79

n

E på

Tänd Växling

Förlust

16.1

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

38.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1.3Ω,

V Generella =± 15 V, T j = 125o C

235

n

t r

Uppgångstid

75

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

581

n

t f

Hösttid

109

n

E på

Tänd Växling

Förlust

27.8

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

55.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1.3Ω,

V Generella =± 15 V, T j = 150o C

235

n

t r

Uppgångstid

75

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

621

n

t f

Hösttid

119

n

E på

Tänd Växling

Förlust

30.5

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

61.5

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j = 150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j = 125o C

1.90

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, T j =25 o C

55.2

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

518

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

26.0

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, T j = 125o C

106

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

633

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

47.5

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=6600A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, T j = 150o C

121

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

661

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

53.9

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

δR/R

Avvikelse av R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.069

0.108

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.030

0.046

0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g