IGBT-modul YMIF250-65, Hög spänning, enkel IGBT, CRRC

Parameter

Symbol

Villkor

min

max

Enhet

Samlare-utgivare spänning

V CES

V Generella =0V,T vj ≥ 25°C

6500

V

DC kollektorström

Jag C

T C =80°C

250

A

Spetsström för kollektorn

Jag CM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

Gate-emitter spänning

V GES

-20

20

V

Total effekt dissipation

P för

T C =25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

Samma ström framåt

Jag F

250

A

Spets framåt nuvarande

Jag Från och med den 1 januari

tP=1ms

500

A

IGBT kort kRETS SOA

t pSC

V CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V Generella ≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μ s

Isoleringsspänning

V isol

1min,f=50Hz

10200

V

Sammanslagningstemperatur

T vj

125

℃

Junction driftstemperatur

T vj(op)

-50

125

℃

Hyllestemperatur

T C

-50

125

℃

Lagringstemperatur

T sTG

-50

125

℃

Monteringsmoment

Ms

4

6

Nm

M T1

8

10

Parameter

Symbol

Villkor

Min

tYP

max

Enhet

Samlar (- emitter) genomsläppsspänning

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

Samlare-utgivare mättnad spänning

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

Samlar avstängningsström

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj=125°C

50

mA

Port läckström

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

nA

Gränssnitt för gate-emitterare spänning

V GE(th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

Tidsfördröjning för på-

t d(on)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=± 15 V,

Ls=280nH,

induktiv belastning

Tvj = 25 °C

1

μ s

Tvj = 125 °C

0.94

Stiga tid

t

Tvj = 25 °C

0.76

Tvj = 125 °C

0.81

Avstängningens fördröjningstid

t d(off)

Tvj = 25 °C

3.9

μ s

Tvj = 125 °C

4.2

Hösttid

t f

Tvj = 25 °C

2.2

Tvj = 125 °C

2.8

Slå på växling förlustenergi

EON

Tvj = 25 °C

3081

mJ

Tvj = 125 °C

3900

Avstängning förlustenergi

E avstängd

Tvj = 25 °C

2100

mJ

Tvj = 125 °C

1236

Kort kretsström

Jag SC

tpsc ≤ 10 μm s, V Generella

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

Tvj = 125 °C

940

A