GD75PFX170C6SG, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

139

75

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

150

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

559

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

75

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

150

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

2000

V

IO

Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg

75

A

IFSM

Överspännings framström t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

1440

1206

A

I2t

I2t-värde, t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

10368

7272

A2s

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximala kopplings temperatur (inverterare) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)

175

150

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=75A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.25

IC=75A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=3.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

8.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

9.03

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.22

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=75A, R G=6,8Ω,V Generella =± 15 V, LS =46nH ,T vj =25o C

236

n

t r

Uppgångstid

42

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

356

n

t f

Hösttid

363

n

Epå

Tänd Växling Förlust

17.3

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

11.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=75A, R G=6,8Ω,V Generella =± 15 V, LS =46nH ,T vj =125o C

252

n

t r

Uppgångstid

48

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

420

n

t f

Hösttid

485

n

Epå

Tänd Växling Förlust

27.1

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

16.6

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=75A, R G=6,8Ω,V Generella =± 15 V, LS =46nH ,T vj =150o C

275

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

432

n

t f

Hösttid

524

n

Epå

Tänd Växling Förlust

27.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

17.7

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

,

V CEM ≤ 1700V

300

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =75A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V Generella =-15V LS =46nH ,T vj =25o C

10.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

84

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

7.44

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V Generella =-15V LS =46nH ,T vj =125o C

20.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

87

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

16.1

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V Generella =-15V LS =46nH ,T vj =150o C

22.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

97

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

19.2

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IC=75A, T vj =150o C

0.95

V

IR

Omvänd ström

T vj =150o C,V R =2000V

3.0

mA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT -inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier)

0.268 0.481 0.289

K/W

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT -inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

M

Monteringsmoment Skruv: M5

3.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g