GD75PFX170C6SG,IGBT-modul,STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1700V 75A.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
10 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Inverterare för motordrivning
Förstärkare för AC- och DC-servoanström
Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 o C om inte i annat fall noterat

IGBT-omvandlare

Symbol	Beskrivning	Värden	Enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1700	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
Jag C	Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C	139 75	A
Jag CM	Pulsad samlarström t p =1 ms	150	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T vj = 175 o C	559	W

Diod-omvandlare

Symbol	Beskrivning	Värden	Enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt ålder	1700	V
Jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent	75	A
Jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms	150	A

Diode-rektifierare

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt ålder	2000	V
Jag O	Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg	75	A
Jag FSM	Överspännings framström t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj = 150 o C	1440 1206	A
Jag 2t	Jag 2t-värde, t p =10ms @ T vj =25 o C @ T vj = 150 o C	10368 7272	A 2s

Modul

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
T vjmax	Maximala kopplings temperatur (inverterare) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)	175 150	o C
T vjop	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	o C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	o C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -inverter Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C =75A,V Generella =15V, T vj =25 o C		1.85	2.20	V
		Jag C =75A,V Generella =15V, T vj =125 o C		2.25
		Jag C =75A,V Generella =15V, T vj = 150 o C		2.35
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	Jag C =3.0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C			5.0	mA
Jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Inre portmotstånd			8.5		ω
C ies	Inmatningskapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		9.03		nF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		0.22		nF
Q G	Portavgift	V Generella =-15 ...+15V		0.71		μC
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T vj =25 o C		236		n
t r	Uppgångstid			42		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			356		n
t f	Hösttid			363		n
E på	Tänd Växling Förlust			17.3		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			11.7		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T vj =125 o C		252		n
t r	Uppgångstid			48		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			420		n
t f	Hösttid			485		n
E på	Tänd Växling Förlust			27.1		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			16.6		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =75A, R G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T vj = 150 o C		275		n
t r	Uppgångstid			50		n
t d(off)	Avstängning Fördröjningstider			432		n
t f	Hösttid			524		n
E på	Tänd Växling Förlust			27.9		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			17.7		mJ
Jag SC	SK-uppgifter	t P ≤10μs, V Generella =15V, T vj = 150 o C ,V CC =1000V , V CEM ≤ 1700V		300		A

Diod -inverter Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V F	Diod framåt Spänning	Jag F =75A,V Generella =0V,T vj =2 5o C		1.80	2.25	V
		Jag F =75A,V Generella =0V,T vj =12 5o C		1.90
		Jag F =75A,V Generella =0V,T vj =15 0o C		1.95
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =75A, -di/dt=1290A/μs,V Generella =-15V L S =46 nH ,T vj =25 o C		10.3		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			84		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			7.44		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =75A, -di/dt=1100A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V L S =46 nH ,T vj =125 o C		20.5		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			87		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			16.1		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =75A, -di/dt=1060A/μs,V Generella =-15V L S =46 nH ,T vj = 150 o C		22.5		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			97		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			19.2		mJ

Diod -rektifierare Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V F	Diod framåt Spänning	Jag C =75A, T vj = 150 o C		0.95		V
Jag R	Omvänd ström	T vj = 150 o C ,V R =2000V			3.0	mA

NTC Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet
R tJC	Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT -inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier)			0.268 0.481 0.289	K/W
R thCH	Housse -till -Värmesänkande (perIGBT -inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) Hylsa till värmesänk (per Modul)		0.106 0.190 0.114 0.009		K/W
M	Monteringsmoment Skruv: M5	3.0		6.0	N.M
G	Vikt av Modul		300		g