MTG150,MTY150,Tyristormoduler ((Oisolerad typ)),TECHSEM

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V

MTx150-08-213F4 MTx150-10-213F4 MTx150-12-213F4 MTx150-14-213F4 MTx150-16-213F4 MTx150-18-213F4

MFx150-08-213F4 MFx150-10-213F4 MFx150-12-213F4 MFx150-14-213F4 MFx150-16-213F4 MFx150-18-213F4

MTx står för någon t yp av MTG, MTY

MFx står för någon ty pe av MFG, MFY

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃)

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kyld, TC=90 ℃

125

150

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

236

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

12

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus

125

3.9

kA

I2t

I2t för smältkoordination

125

76

10³A ²s

VTO

Tröskelspänning

125

0.80

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

1.74

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=450A

25

1.67

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

100

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

30

100

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

2.5

V

IH

Hållström

10

180

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180 °sine, Ensidigt kyld per chip

0.16

℃/W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Vid 180 °sine, Ensidigt kyld per chip

0.10

℃/W

FM

Terminalanslutningstorque (M6)

4.5

6.0

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

280

g

Översikt

213F4