GD1200SGX170A3S, 1700 V 1200 A, IGBT-modul,

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

2400

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

8.77

KW

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

1200

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

2400

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=1200A,V Generella =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=1200A,V Generella =15V, T j =125o C

2.25

IC=1200A,V Generella =15V, T j =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=48.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.0

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

145

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

3.51

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

11.3

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V Generella =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =25o C

440

n

t r

Uppgångstid

112

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1200

n

t f

Hösttid

317

n

Epå

Tänd Växling Förlust

271

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

295

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V Generella =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =125o C

542

n

t r

Uppgångstid

153

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1657

n

t f

Hösttid

385

n

Epå

Tänd Växling Förlust

513

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

347

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V Generella =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =150o C

547

n

t r

Uppgångstid

165

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1695

n

t f

Hösttid

407

n

Epå

Tänd Växling Förlust

573

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

389

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

4800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =1200A,V Generella =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

IF =1200A,V Generella =0V, T j =125℃

1.90

IF =1200A,V Generella =0V, T j =150℃

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V Generella =-9V, LS =65nH,T j =25℃

190

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

844

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

192

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V Generella =-9V, LS =65nH,T j =125℃

327

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

1094

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

263

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V Generella =-9V, LS =65nH,T j =150℃

368

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

1111

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

275

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

12

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.19

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

17.1 26.2

K/kW

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT )Högsta värmeeffekt (p) diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Effektterminal Skruv:M4 Effektterminal Skruv:M8 Monteringsskruv:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

G

Vikt av Modul

1050

g