YMIBD500-33, IGBT modul, Dvostruki prekidač IGBT,CRRC

(Simbol)

(Parametar)

(Testni uslovi)

(Вредност)

(Jedinca)

VCES

Napon kolektora-emiter

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V

V GES

Napon između vrata i emitera

± 20

V

I C

Struja kolektora-emiter

T kućište = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

А

I C(PK)

Maksimalna struja kolektora

1ms, T case = 140 °C

1000

А

Пмакс

Maks. disipacija snage tranzistora

Tvj = 150°C, T kućište = 25 °C

5.2

кВ

I 2t

Dioda I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

Napon izolacije – po modulu

Zajednički terminali sa osnovnom pločom),

AC RMS,1 min, 50Hz

6000

V

Q PD

Delimično pražnjenje – po modulu

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

пЦ

Т случај = 25 ° Ц Т случај = 25° Ц osim ako nije иначе

(Симбол )

(Parametar)

(Testni uslovi)

(Минус )

(Тип )

(Макс )

(Јединица )

Ја сам Tip

CES

V Г gE V ЦЕ = V Tip

1

мА

V Г gE V ЦЕ = V Tip , Т случај = 0V,

30

мА

V Г gE V ЦЕ = V Tip , Т случај =125 °C

50

мА

Ја сам =150 °C

GES струја

V Г propuštanje vrata V ЦЕ = ±20V,

1

мА

V Г μA

Порожни напон ка капије

Ја сам Ц napon praga vrata мА , V Г = V ЦЕ

5.50

6.10

7.00

V

V ЦЕ (= 40 )(*1)

(*1) напетост

V Г saturacija kolektora-emiter Ја сам Ц = 500А

2.40

2.90

V

V Г saturacija kolektora-emiter Ја сам Ц c   Т = 500A, = 125 °c

2.95

3.40

V

V Г saturacija kolektora-emiter Ја сам Ц c   Т = 500A, = 150 °c

3.10

3.60

V

Ја сам Ф

Vj

ДЦ

500

А

Ја сам Dijodna struja napred

FRM струја

т П = 1 мс

1000

А

V Ф (*1)

Диодско напречење напред

Ја сам Ф = 500А

2.10

2.60

V

Ја сам Ф c   Т = 500A, = dijodni napon napred

2.25

2.70

V

Ја сам Ф c   Т = 500A, = 150 °C

2.25

2.70

V

Ц и

Улазни капацитанс

V ЦЕ ulazna kapacitivnost V Г gE ф = 1МГц

90

нФ

К г

= 25V,

napunjenje vrata

9

±15V

Ц ре

Res obrnuta prenosa kapaciteta

V ЦЕ ulazna kapacitivnost V Г gE ф = 1МГц

2

нФ

Л М

Модул индуктивност

25

нХ

R Инт

Unutrašnji otpor tranzistora

310

мΩ

Ја сам СЦ

Кратки прекид struja, Ја сам СЦ

Т = 500A, = 150°C, V ЦЦ = 2500V, V Г ≤15V, т п ≤10μs,

V ЦЕ (макс ) = V Tip – Л (*2) ×ди /dt ,ИЕЦ 6074-9

1800

А

тд (остављено)

Време одлагања искључења

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

n

t f

Време пада

520

n

E OFF

Gubitak energije pri isključivanju

780

мЈ

тд (о)

Време кашњења укључивања

650

n

у

Време подизања

260

n

ЕОН

Gubitak energije pri uključivanju

730

мЈ

КВРР

Dijodna obrnuta povratna naplata

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

390

±15V

I rr

Dijodna obrnuta povratna struja

420

А

Erec

Dijodna obrnuta povratna energija

480

мЈ

(Simbol)

(Parametar)

(Testni uslovi)

(Минимално)

(Tip)

(макс.)

(Jedinca)

тд (остављено)

Време одлагања искључења

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

n

t f

Време пада

550

n

E OFF

Gubitak energije pri isključivanju

900

мЈ

тд (о)

Време кашњења укључивања

630

n

у

vreme uspona Време подизања

280

n

ЕОН

Gubitak energije pri uključivanju

880

мЈ

КВРР

Dijodna obrnuta povratna naplata

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

620

±15V

I rr

Dijodna obrnuta povratna struja

460

А

Erec

Dijodna obrnuta povratna energija

760

мЈ

(Simbol)

(Parametar)

(Testni uslovi)

(Минимално)

(Tip)

(макс.)

(Jedinca)

тд (остављено)

Време одлагања искључења

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

n

t f

Време пада

560

n

E OFF

Gubitak energije pri isključivanju

1020

мЈ

тд (о)

Време кашњења укључивања

620

n

у

Време подизања

280

n

ЕОН

Gubitak energije pri uključivanju

930

мЈ

КВРР

Dijodna obrnuta povratna naplata

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

720

±15V

I rr

Dijodna obrnuta povratna struja

490

А

Erec

Dijodna obrnuta povratna energija

900

мЈ