Све категорије
УЗИМИ ЦИТ

Добијте бесплатни цитат

Наш представник ће вас ускоро контактирати.
Е-маил
Име
Име компаније
Порука
0/1000

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

Почетна страница /  Производи /  IGBT modul /  Modul IGBT 1200V

GD200MLY120C2S,3-nivo ,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 200A, 3-nivo

Brand:
СТАРПОВЕР
Spu:
GD200MLY120C2S
  • Увод
  • Облик
  • Ekvivalentna šema kola
Увод

Кратко увођење

ИГБТ модул , 3-nivo ,proizveden od STARPOWER. 1200V 200А.

Особности

  • Технологија IGBT са ниским ВЦЕ (спутник)
  • ВЦЕ (сателит) са позитивним температурним коефицијентом
  • Мали губитак преласка
  • Максимална температура уједињења 175oC
  • Корис са ниском индуктивношћу
  • Брза и мека реверзна рекуперација антипараллелна ФВД
  • Izolovana bakarna baza koristeći DBC tehnologiju

Типичне примене

  • Инвертори за моторно покретање
  • Непрекидано снабдевање напајањем
  • Соларна енергија

Apsolutno Максимално Оцене Т Ц =25о Ц osim иначе примећено

T1-T4 IGBT

Симбол

Опис

Вредност

Јединица

V Tip

Napon kolektora-emiter

1200

V

V =150 °C

Napon između vrata i emitera

±20

V

Ја сам Ц

Struja kolektora @ T Ц =25о Ц

@ Т Ц = 100о Ц

337

200

А

Ја сам ЦМ

Pulsni kolektorski struj t п =1 мс

400

А

П Д

Максимална снага Дисипација @ Т j =175о Ц

1162

В

D1-D4 Dioda

Симбол

Опис

Вредност

Јединица

V РРМ

Поновљени врх обратног напона

1200

V

Ја сам Ф

Диод континуирано напредна кура изнајмљивање

200

А

Ја сам ФМ

Maksimalni prodirni tok diode t п =1 мс

400

А

D5, D6 Dioda

Симбол

Опис

Вредност

Јединица

V РРМ

Поновљени врх обратног напона

1200

V

Ја сам Ф

Диод континуирано напредна кура изнајмљивање

200

А

Ја сам ФМ

Maksimalni prodirni tok diode t п =1 мс

400

А

Модул

Симбол

Опис

Вредност

Јединица

Т jmax

Максимална температура у раскрсници

175

о Ц

Т јапо

Температура рада на спојном месту

-40 до +150

о Ц

Т СТГ

Температура складиштења Размај

-40 до +125

о Ц

V ИСО

Napon izolacije RMS,f=50Hz,t=1 минус

2500

V

T1-T4 ИГБТ Карактеристике Т Ц =25о Ц osim иначе примећено

Симбол

Параметри

Услови испитивања

Мино.

Тип.

Макс. -Макс.

Јединица

V ЦЕ (Сат)

Укупљач до емитера

Насићеност напона

Ја сам Ц =200A,V Г saturacija kolektora-emiter Т j =25о Ц

1.70

2.15

V

Ја сам Ц =200A,V Г saturacija kolektora-emiter Т j =125о Ц

1.95

Ја сам Ц =200A,V Г saturacija kolektora-emiter Т j =150о Ц

2.00

V Г (у )

Предњи праг за излазак ка капије Напетост

Ја сам Ц =5.0мА ,V ЦЕ =V Г , Т j =25о Ц

5.2

6.0

6.8

V

Ја сам Tip

Колектор Резање -Избаци

Струја

V ЦЕ =V Tip ,V Г =0В,

Т j =25о Ц

1.0

мА

Ја сам =150 °C

Пролаз извора Струја

V Г =V =150 °C ,V ЦЕ =0В, Т j =25о Ц

400

нА

R Гинт

Унутрашњи отпор капије и

4.0

о

Ц и

Улазни капацитанс

V ЦЕ =25V,f=1MHz,

V Г =0В

20.7

нФ

Ц ре

Обрнути пренос

Капацијент

0.58

нФ

К Г

= 25V,

V Г =- 15…+15V

1.55

±15V

т д (на )

Време кашњења укључивања

V ЦЦ = 600В,I Ц =200A, R Г = 1. 1Ω,V Г =±15В, Т j =25о Ц

150

n

т r

Време подизања

32

n

т д (избаци )

Избијање Време одлагања

330

n

т ф

Време пада

93

n

Е на

Укључивање Прелазак

Губитак

11.2

мЈ

Е избаци

Извођење

Губитак

11.3

мЈ

т д (на )

Време кашњења укључивања

V ЦЦ = 600В,I Ц =200A, R Г = 1. 1Ω,V Г =±15В, Т j = 125о Ц

161

n

т r

Време подизања

37

n

т д (избаци )

Избијање Време одлагања

412

n

т ф

Време пада

165

n

Е на

Укључивање Прелазак

Губитак

19.8

мЈ

Е избаци

Извођење

Губитак

17.0

мЈ

т д (на )

Време кашњења укључивања

V ЦЦ = 600В,I Ц =200A, R Г = 1. 1Ω,V Г =±15В, Т j = 150о Ц

161

n

т r

Време подизања

43

n

т д (избаци )

Избијање Време одлагања

433

n

т ф

Време пада

185

n

Е на

Укључивање Прелазак

Губитак

21.9

мЈ

Е избаци

Извођење

Губитак

19.1

мЈ

Ја сам СЦ

СК подаци

т П ≤ 10μs,В Г saturacija kolektora-emiter

Т j =150о Ц,В ЦЦ = 900В, V ЦЕМ ≤ 1200В

800

А

D1-D4 Диод Карактеристике Т Ц =25о Ц osim иначе примећено

Симбол

Параметри

Услови испитивања

Мино.

Тип.

Макс. -Макс.

Јединице

V Ф

Диод напред

Напетост

Ја сам Ф =200A,V Г =0В,Т j =25о Ц

1.65

2.10

V

Ја сам Ф =200A,V Г =0В,Т j = 125о Ц

1.65

Ја сам Ф =200A,V Г =0В,Т j = 150о Ц

1.65

К r

Оплаћена наплата

V R = 600В,I Ф =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Г =- 15 В Т j =25о Ц

17.6

±15V

Ја сам РМ

Пик реверз

Naplata struje

228

А

Е rec

Обрнуто опоравка Енергија

7.7

мЈ

К r

Оплаћена наплата

V R = 600В,I Ф =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Г =- 15 В Т j =125о Ц

31.8

±15V

Ја сам РМ

Пик реверз

Naplata struje

238

А

Е rec

Обрнуто опоравка Енергија

13.8

мЈ

К r

Оплаћена наплата

V R = 600В,I Ф =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Г =- 15 В Т j =150о Ц

36.6

±15V

Ја сам РМ

Пик реверз

Naplata struje

247

А

Е rec

Обрнуто опоравка Енергија

15.2

мЈ

D5,D6 Диод Карактеристике Т Ц =25о Ц osim иначе примећено

Симбол

Параметри

Услови испитивања

Мино.

Тип.

Макс. -Макс.

Јединице

V Ф

Диод напред

Напетост

Ја сам Ф =200A,V Г =0В,Т j =25о Ц

1.65

2.10

V

Ја сам Ф =200A,V Г =0В,Т j = 125о Ц

1.65

Ја сам Ф =200A,V Г =0В,Т j = 150о Ц

1.65

К r

Оплаћена наплата

V R = 600В,I Ф =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Г =- 15 В Т j =25о Ц

17.6

±15V

Ја сам РМ

Пик реверз

Naplata struje

228

А

Е rec

Обрнуто опоравка Енергија

7.7

мЈ

К r

Оплаћена наплата

V R = 600В,I Ф =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Г =- 15 В Т j =125о Ц

31.8

±15V

Ја сам РМ

Пик реверз

Naplata struje

238

А

Е rec

Обрнуто опоравка Енергија

13.8

мЈ

К r

Оплаћена наплата

V R = 600В,I Ф =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Г =- 15 В Т j =150о Ц

36.6

±15V

Ја сам РМ

Пик реверз

Naplata struje

247

А

Е rec

Обрнуто опоравка Енергија

15.2

мЈ

НТЦ Карактеристике Т Ц =25о Ц osim иначе примећено

Симбол

Параметри

Услови испитивања

Мино.

Тип.

Макс. -Макс.

Јединица

R 25

Намењен отпор

5.0

δR/R

Одступање од R 100

Т Ц = 100 о Ц,Р 100=493.3Ω

-5

5

%

П 25

Сила

Рассејање

20.0

мВт

Б 25/50

B-vrednost

R 2=R 25екп 25/50(1/T 2-

1/(298.15К))]

3375

K

Б 25/80

B-vrednost

R 2=R 25екп 25/80(1/T 2-

1/(298.15К))]

3411

K

Б 25/100

B-vrednost

R 2=R 25екп 25/100(1/T 2-

1/(298.15К))]

3433

K

Модул Карактеристике Т Ц =25о Ц osim иначе примећено

Симбол

Параметри

Мино.

Тип.

Макс. -Макс.

Јединица

R thJC

Spreg-za-korpus (po T 1-T4 IGBT)

Spreg-za-korpus (po D1-D4 Di odu)

Spreg-za-korpus (po D5,D6 Dio de)

0.129

0.237

0.232

К/В

R thCH

Kućište do Hladnjaka (po T1-T4 IGBT)

Korpus-na-hladiću (po D1-D4 DIODE

Korpus-na-hladiću (po D5,D6 DIODE

Kućište do Hladnjaka (po Modul)

0.073

0.134

0.131

0.010

К/В

М

Тоцк за терминално повезивање, Buncan M6 Мониторни торк, Buncan M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Г

Тежина од Модул

340

г

Облик

Ekvivalentna šema kola

Добијте бесплатни цитат

Наш представник ће вас ускоро контактирати.
Е-маил
Име
Име компаније
Порука
0/1000

СРЕДНИ ПРОДУКТ

Да ли имате питања о било ком производу?

Наш професионални тим за продају чека вашу консултацију.
Можете пратити њихову листу производа и питати сва питања која вас занимају.

УЗИМИ ЦИТ

Добијте бесплатни цитат

Наш представник ће вас ускоро контактирати.
Е-маил
Име
Име компаније
Порука
0/1000

Добијте бесплатни цитат

Наш представник ће вас ускоро контактирати.
Е-маил
Име
Име компаније
Порука
0/1000