Seria SiC MOSFET

Zgjidhje të reja gjeneracioni të përcjellësve të fuqisë

Portofoliu ynë i MOSFET SiC përfshin vlera tensioni nga 650 V deri në 3300 V , duke ofruar efikasitet të jashtëzakonshëm, dendësi të lartë fuqie dhe besueshmëri të jashtëzakonshme për aplikime të kërkuara të konvertimit të fuqisë.

Karakteristikat Kryesore

• Larg dhe Larg: 650 V – 3300 V

• RDS(on) e ulët dhe humbje shumë të ulëta ndërrimi

• Shpejtësi e lartë ndërrimi për operim me frekuencë të lartë

• Temperatura maksimale e nyjes deri në 175°C

• Dendësi e lartë fuqie dhe menaxhim i thjeshtuar termik

• Efikasitet e përmirësuar i sistemit dhe kosto operimi të ulura

Zbatime

• Sistemet e Ngarkimit për VE

• Invertorë diellorë dhe sisteme ruajtjeje energjie (ESS)

• Pajisjet e motorëve industriale

• UPS dhe furnizime energjie për qendrat e të dhënave

• Transporti hekurudhor dhe konvertues me fuqi të lartë

• Rrjeti inteligjent dhe sistemet e energjisë së ripërtëritshme

Pse të zgjidhni SiC?

Krahasuar me pajisjet konvencionale siliciumi, MOSFET-et SiC ofrojnë efikasitet më të lartë, madhësi sistemi më të vogël, kërkesa më të ulëta për ftohje dhe besueshmëri të përmirësuar , duke mundësuar zhvillimin e sistemeve elektronike fuqie më të kompakta dhe më efikase nga ana energjetike.

Fuqizon të ardhmen e konvertimit të fuqisë me efikasitet të lartë.
Rangu i tensionit: 650 V | 1200 V | 1700 V | 2000 V | 3300 V