TIM500GDM33-PSA011 Origjinal e re Modul Energji IGBT CRRC Transistor Semikonduktiv Diskret Çopërore Invertere/Konverteze Ndjeshe

Profili i Kompanisë

Beijing World E To Technology Co., Ltd. është një kompani bazuar në teknologji me kualifikime për import dhe eksport, e themeluar në principet e inovacionit dhe excelencës, që ndjek në paraqitjen e zgjidhjeve të alternativa të semikonductorëve dhe teknologjisë. Specializohet në dizajn produkti të semikonductorëve, personalizim kontraktori dhe distribucion. Kemi kërkesa të rëndësishme në zgjedhjen e partnerëve të bashkëpunimit, bashkëpunojmë vetëm me kompani teknologjike dhe prodhues të cilët kanë teknologji të parë në dizajn dhe prodhim. Personalizimi i optimizimit të linjave të transmetimit të fabrikave janë një pjesë tjetër e rëndësishme e prodhimit të kontratit.

E na pRODUKTET

1	Moduli IGBT dhe Vodhor
2	Moduli IGCT dhe Vodhor
3	Invertor core board
4	Moduli i diodës
5	Modul Thyristor
6	Sensori i rrymës
7	Kondenzator
8	Rezistor
9	Relè gjendje totale
10	Robot industrial dhe pjesë kryesore
11	Aeroplani Civile Pa Larg dhe Pjesë Kryesore

Përshkrimi i Produkteve

Veprime të Rralla

(1) Baza AISiC për aftësi larg cikluese të larg
(2) Substratat AIN për rezistencë termike të ulët
(3) Kapacitet Termik Larg Cikle
(4) Densitet i lartë i rrymës

(5) Larg 10μs i rradhit të larg
(6) VCEsat ulët

Aplikimet Tipike

(1) Drejtime të tërheqjes
(2) Kontrollues Motor
(3) Çopëruesit
(4) Inverterat/kthyesit e tensionit të mesëm

TIM500GDM33 -PSA011

YMIBD500-33

3300V/500A Module IGBT me voltaje larg

Parametrat Kryesorë

Ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V _Tip		3300	V
V _{CE (sat)}	- Në rregull.	2.4	V
Unë _C	Max. - Çfarë?	500	A
Unë _CM	ICRM	1000	A

Vlerat Maksimale Absolute

Ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V _Tip	Tensioni kolektor-emitor	3300	V
V _{=150 °C}	Tensioni i portës-emitësit	±20	V
Unë _C	Të drejtimi kolektori @ T _C=100℃	500	A
Unë _CM	Rrjedhje Puls Kollektor, tp=1ms, Tc=140°C	1000	A
P _të	Largimi i plotë i energjisë, TC=25°C, për çdo ndërprerje (IGBT)	5200	W
Unë ²t	Diodë I ²t ,VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C	80	kA ²s
V _isoli	1min,f=50Hz	6000	V
t _psc	IGBT Shkurtimi i Qarkut SOA VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
Unë _F	Rryma e përparme DC	500	A
Unë _{Rryma përpara e diodës}	Rrjedhja e parë e larg, tp=1ms	1000	A
Q _PD	Çastarje pjesërore, V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	pC
Momentet e montimit	M _SMontim – M6	5	Nm
		M _T1Lidhjet elektrike – M4		2
		M _T2Lidhjet elektrike – M8		8

Vlerat Karakteristike të Diodeve

Ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	simbol	Max. - Çfarë?	Vlera		Njësia
V _F	Tension i përparuar IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V		℃
				Tvj = 15 0°C		2.25	2.7	V		℃
Unë _rr	Rryma e rikthimit të kundërt Unë _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		420		A
				Tvj = 125 °C			460		A		V
				Tvj = 150 °C			490
Q _rr	Ngarkesa e rikuperuar Unë _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		390		µC
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E _rec	Energjia e rikuperimit të kundërt Unë _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		480		mJ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

Vlerat karakteristike të IGBT

Ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
_{V _CEsat}	Spänning në satelit të kollektorit-emitorit.I _C=500A,V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=15V	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V
Unë _{=150 °C}	Rryma e derdhjes së portës	V _CE=0V, V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=±20V, Tvj=25°C	-500		500	nA
V _{GE (TH)}	Tensioni i pragut të portës-emiterit	Unë _C=40mA, V _CE=V _{Rryma e prerjes së kolektorit}, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V
Unë _Tip	Spänning në saturim të kolektorit-emitori.V _CE=3300V,V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=0V	Tvj= 25°C			1	= 0V,
				Tvj= 125°C			30	= 0V,
				Tvj = 150 °C			50	= 0V,
Unë _SC	Rryma e shkurtër	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		A
Unë _{Rryma përpara e diodës}	Rryma e kulmit të përparme të diodës	t _P= 1ms		500		A
t _{d ((on)}	Koha e vonesës së ndezjes	Tvj = 25 °C		650		ns
				Tvj = 125 °C		630		ns
				Tvj = 150 °C		620		ns
t _d(off)	Koha e vonesës së fikjes	Tvj = 25 °C		1720		ns
				Tvj = 125 °C		1860		ns
				Tvj = 150 °C		1920		ns
Unë _SC	Rryma e shkurtër	t _psc≤ 10μs, V _{Rryma e prerjes së kolektorit}saturimi kolektor-emiter T _{= 500A,}= 150°C,V _CC= 2500V		1800		A
Cies	Ies	V _CE=25V,V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		mHz
Qg	NF	C=500A,V _CE=1800V,V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=-15V…15V		5.0		µC
Cres	Kapaciteti i transferit të kundërt	V _CE=25V,V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		mHz
E _në	Energjia e humbjes së kalimit të ndezjes Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V _CC=1800V, I _C=500A, RG(ON)=3.0Ω RG(OFF)=4.5Ω,C _{Rryma e prerjes së kolektorit}=100nF,V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=±15V L _δ=150nH		730		nH
							880		mJ
							930
E _{të mbyllur}	Energjia e humbjes së kalimit të fikjes Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		mJ
							900
							1020

Pse na zgjidhni

1. Ne ndarim vetem produkte nga prodhues të Kinisë me teknologji e parë klasë. Kjo është mjeda tonë e pare.
2. Kemi kërkesa të ngushta për zgjedhjen e prodhuesve.
3. Kemi aftësi për të ofruar klientëve zgjidhje alternative nga Kinia.
4. Kemi një tim të përgjegjshëm.

Paketimi i Produktit