Nga Alibaba.

Modul IGBT CRRC TG1000HF17H1-S300 1700V Inverteret Konvertoret Dritare Origjinal e Larg Turbinave e Vatrave Discrete Modul Semikonduktor

Modul IGBT CRRC TG1000HF17H1-S300 1700V Inverteret Konvertoret Dritare Origjinal e Larg Turbinave e Vatrave Discrete Modul Semikonduktor

Hyrje

Profili i Kompanisë

Beijing World E To Technology Co., Ltd. është një kompani me bazë teknologjike me kualifikime për import dhe eksport, e themeluar në principet e inovacionit dhe vlerës, që mbahet në para të zgjidhjeve dhe teknologjisë alternative të polusheve, përfokusuar në dizajn produktesh polusore, personalizim kontraktori dhe distribuim. Kemi kërkesa të rëndësishme në zgjedhjen e partnerëve për bashkëpunim, bashkëpunojmë vetëm me kompani teknologjike dhe prodhues të cilët kanë teknologji të parë në dizajn dhe prodhim. Personalizimi i optimizimit të linjave automate të transmetimit të fabrikeve janë një pjesë tjetër e rëndësishme e prodhimit të kontratit tonë.

E na pRODUKTET

1	Moduli IGBT dhe Vodhor
2	Moduli IGCT dhe Vodhor
3	Invertor core board
4	Moduli i diodës
5	Modul Thyristor
6	Sensori i rrymës
7	Kondenzator
8	Rezistor
9	Sistem depozitim energji
10	Robot industrial dhe pjesë kryesore
11	Aeroplani Civile Pa Larg dhe Pjesë Kryesore

Përshkrimi i Produkteve

Veprime të Rralla

(1) Baza AISiC për aftësi larg cikluese të larg
(2) Cu Bazëplakë
(3) Kapacitet Termik Larg Cikle
(4) Densitet i lartë i rrymës

(5) Larg 10μs i rradhit të larg
(6) VCEsat ulët

Aplikimet Tipike

(1) Drejtim motoresh
(2) Konvertues të fuqisë së lartë
(3) Turbina Wind
(4) Inverter me Besueshmëri të Lartë

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A Gisht Larg IGBT

Parametrat Kryesorë

Ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V _Tip		1200	V
V _{CE (sat)}	- Në rregull.	1.85	V
Unë _C	Max. - Çfarë?	1000	A
IC(RM)	Max. - Çfarë?	2000	A

Vlerat Maksimale Absolute( Tcase = 25°C në qof shprehur )

Ndryshe	Përshkrimi	Vlera	Njësia
V _Tip	Tensioni kolektor-emitor	1700	V
V _{=150 °C}	Tensioni i portës-emitësit	±20	V
Unë _C	Rrëndi i Kolektorit @ Tcase = 90 °C	1000	A
Unë _C(PK)	Rrëndi maks i kolektorit ,tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	A
P _maks	Fuqi maks e transistorit,Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
Unë ²t	Diodë I ²t ,V _R=0V, T _P= 10ms, T _{= 500A,}= 150°C	144	kA ²s
V _isoli	(Kontaktet e përbashkët me plakinë bazë), AC RMS, 1 min, 50Hz	4000	V
Unë _F	Sodhje e diodës, DC	1000	A
Unë _{Rryma përpara e diodës}	Sodhje maksimale e diodës, tp=1ms	2000	A
Momentet e montimit	Larg - M5	6	Nm
	Larg - M5	6
		Lidhjet elektrike – M8		10

Karakteristikat Elektrike

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

simbol

Max. - Çfarë?

Vlera

Njësia

V _F

1ms

Unë _F=1000A, V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

Unë _F=1000A, V _{Rryma e prerjes së kolektorit}= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Unë _F=1000A, V _{Rryma e prerjes së kolektorit}= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Unë _{Rryma përpara e diodës}

Rryma e kulmit të përparme të diodës

t _P= 1ms

2000

Unë _F

Rrjedhje e diodës,

1000

Irr

Diode Kthimi
aktualisht rimëkëmbje

IF =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

620

655

Qrr

Diode Kthimi
ngarkesa e Rikuperimit

285

±15V

315

340

E _rec

Energjia e rikuperimit të kundërt të diodës

IF =900A,
VCE = 600V,
- diF/dt = 6800A/us
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

235

240

Karakteristikat Elektrike

Ndryshe	Parametri	Kushtet e provës	Min.	- Në rregull.	Max. - Çfarë?	Njësia
V _{CE (sat)}	Tensioni i ngopjes kolektor-emetues	V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=15V, I _C= 900A,T _{= 500A,}= 25°C		1.75	2.15	V
				V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=15V, I _C= 900A,T _vj= 125°C			2.1	2.5
				V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=15V, I _C= 900A,T _{= 500A,}= 150°C			2.2	2.6
Unë _Tip	CES	V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=15V, I _C= 900A,Tvj= 25°C			1	= 0V,
				V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=15V, I _C= 900A,Tvj= 125°C				10
				V _{Rryma e prerjes së kolektorit}=15V, I _C= 900A,Tvj= 150°C				20
Unë _{=150 °C}	Rryma e derdhjes së portës	V _CE=0V, V _{Rryma e prerjes së kolektorit}shkarkimi i portës			4	= 0V
V _{GE (TH)}	Tensioni i pragut të portës-emiterit	Unë _C= 40mA, V _{Rryma e prerjes së kolektorit}= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
t _{d ((on)}	Koha e vonesës së ndezjes @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		ns
								1410
								1440
td(off)	Koha e vonesës së fikjes @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		ns
								470
								450
Unë _SC	Rryma e shkurtër	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V _{Rryma e prerjes së kolektorit}≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
Cies	Ies	V _CE= 25V, V _{Rryma e prerjes së kolektorit}= 0V, f = 100kHz		147		mHz
Cres	Kapaciteti i transferit të kundërt	V _CE= 25V, V _{Rryma e prerjes së kolektorit}= 0V, f = 100kHz		1.5		mHz
Qg	NF	ngarkesa e portës		11.4		µC
E _në	Humbja e energjisë gjatë ndezjes @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
E _{të mbyllur}	Energjia e humbjes së kalimit të fikjes @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

Pse na zgjidhni

1. Ne ndarim vetem produkte nga prodhues të Kinisë me teknologji e parë klasë. Kjo është mjeda tonë e pare.
2. Kemi kërkesa të ngushta për zgjedhjen e prodhuesve.
3. Kemi aftësi për të ofruar klientëve zgjidhje alternative nga Kinia.
4. Kemi një tim të përgjegjshëm.

Paketimi i Produktit