MTx600 MFx600 MT600, Modulinë Thyristor/Diode, Rajtimi me Ujë

V RRM v DRM

Lloji & Skica

600V

MT6

MFx600-06-406F3

800V

MT2qëndrime të larta

MFx600-08-406F3

1000V

MTx600-10-406F3

MFx600-10-406F3

1200V

MTx600-12-406F3

MFx600-12-406F3

1400V

MTx600-14-406F3

MFx600-14-406F3

1600V

MTx600-16-406F3

MFx600-16-406F3

1800V

MTx600-18-406F3

MFx600-18-406F3

1800V

MT6203F3G

Ndryshe

Karakteristikë

Kushtet e provës

Tj( ℃ )

Vlera

Njësia

Min

Lloji

Maks

IT(AV)

Rryma mesatare në gjendjen aktive

180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz

Një anë e ftohur, THS=55 。C

125

600

A

IT(RMS)

Rryma e qëndrueshme RMS

942

A

Irrm Irrm

Rryma pikore përsëritëse

në VDRM në VRRM

125

45

= 0V,

ITSM

Rryma e goditjes në gjendjen aktive

VR=60%VRRM,t=10ms gjysma sine

125

16.0

kA

I2t

I2t për koordinimin e fundosjes

125

1280

10³A ²s

VTO

Tensioni i Pragut

125

0.85

V

rT

Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive

0.30

mΩ

VTM

Tensioni maksimal në gjendjen aktive

ITM=1800A

25

1.90

V

dv/dt

Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive

Burimi i portës 1.5A

tr ≤0.5μs Përsëritëse

125

200

A/μs

IGT

Rryma e aktivizimit të portës

VA=12V, IA=1A

25

30

200

= 0V,

Vgt

Tensioni i aktivizimit të portës

0.8

3.0

V

IH

Rryma mbajtëse

10

200

= 0V,

IL

Rryma e ngjitjes

1000

= 0V,

VGD

Tensioni i portës jo-aktivizues

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Rezistenca termike nga lidhja në rast

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.085

℃ /W

Rth(c-h)

Rezistenca termike rast në radiator

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.040

℃ /W

VISO

Tensioni i izolimit

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Parkthi i lidhjes së terminalit ((M12)

12

14

N·m

Torku i montimit (M6)

4.5

6

N·m

Tvj

Temperatura e lidhjes

-40

125

℃

TSTG

Temperatura e ruajtur

-40

125

℃

Wt

Pesha

1580

g

Skica

406F3