MTx400 MFx400 MT400,Modulet Thyristor/Diode, Ftohja me ujë

Ndryshe

Karakteristikë

Kushtet e provës

Tj( ℃ )

Vlera

Njësia

Min

Lloji

Maks

IT(AV)

Rryma mesatare në gjendjen aktive

180。gjysmë vale sinusoidale 50Hz

Një anë e ftohur, THS=55 ℃

125

400

A

IT(RMS)

Rryma e qëndrueshme RMS

628

A

Irrm Irrm

Rryma pikore përsëritëse

në VDRM në VRRM

125

35

= 0V,

ITSM

Rryma e goditjes në gjendjen aktive

VR=60%VRRM, t=10ms gjysmë sinus

125

12.5

kA

I2t

I2t për koordinimin e fundosjes

125

781

103A2s

VTO

Tensioni i Pragut

125

0.80

V

rT

Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive

0.80

mΩ

VTM

Tensioni maksimal në gjendjen aktive

ITM=1200A

25

1.90

V

dv/dt

Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive

Burimi i portës 1.5A

tr ≤0.5μs Përsëritëse

125

200

A/μs

IGT

Rryma e aktivizimit të portës

VA=12V, IA=1A

25

30

200

= 0V,

Vgt

Tensioni i aktivizimit të portës

0.8

3.0

V

IH

Rryma mbajtëse

10

200

= 0V,

IL

Rryma e ngjitjes

1000

= 0V,

VGD

Tensioni i portës jo-aktivizues

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Rezistenca termike nga lidhja në rast

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.11

℃ /W

Rth(c-h)

Rezistenca termike rast në radiator

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.04

℃ /W

VISO

Tensioni i izolimit

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Parkthi i lidhjes së terminalit ((M12)

12

14

N·m

Torku i montimit (M6)

4.5

6

N·m

Tvj

Temperatura e lidhjes

-40

125

℃

TSTG

Temperatura e ruajtur

-40

125

℃

Wt

Pesha

1060

g

Skica

405F3