MK(H) x400 MK400,Modulet e tyreistorit me mbyllje të shpejtë,Frizim me ajër

Ndryshe

Karakteristikë

Kushtet e provës

Tj( ℃ )

Vlera

Njësia

Min

Lloji

Maks

IT(AV)

Rryma mesatare në gjendjen aktive

180。gjysmë vale sinusoidale 50Hz e ftohur nga një anë, Tc=85 ℃

125

400

A

IT(RMS)

Rryma e qëndrueshme RMS

628

A

Irrm Irrm

Rryma pikore përsëritëse

në VDRM në VRRM

125

100

= 0V,

Unë _TSM

Rryma e goditjes në gjendjen aktive

10ms gjysmë vale sinusoidale VR=60%VRRM

125

8

kA

Unë ²t

I2t për koordinimin e fundosjes

320

A ²s* 10 ³

V _Për

Tensioni i Pragut

125

0.83

V

rT

Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive

0.72

mΩ

V _TM

Tensioni maksimal në gjendjen aktive

ITM= 1200A

25

2.40

V

dv/dt

Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive

Burimi i portës 1.5A

tr ≤0.5μs Përsëritëse

125

200

A/μs

Qrr

Ngarkesa e Rikuperimit

ITM=300A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V

125

650

µC

tq

Koha e fikjes së komutuar nga qarku

ITM=300A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

15

35

µs

IGT

Rryma e aktivizimit të portës

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

= 0V,

Vgt

Tensioni i aktivizimit të portës

0.8

3.0

V

IH

Rryma mbajtëse

10

200

= 0V,

VGD

Tensioni i portës jo-aktivizues

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Rezistenca termike nga lidhja në rast

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.065

℃ /W

Rth(c-h)

Rezistenca termike rast në radiator

E ftohur nga një anë për çdo çip

0.023

℃ /W

VISO

Tensioni i izolimit

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

FM

Torku i lidhjes së terminaleve (M10)

12.0

N·m

Torku i montimit (M6)

6.0

N·m

Tvj

Temperatura e lidhjes

-40

115

℃

TSTG

Temperatura e ruajtur

-40

115

℃

Wt

Pesha

1500

g

Skica

416F3