YMIF750-65, Moduli IGBT, IGBT me Ndërrim të Vetëm, CRRC

V _Tip

6500 V

V _{CE (sat)} - Në rregull.

3.0 V

Unë _C Max. - Çfarë?

750 A

Unë _{C ((RM)} Max. - Çfarë?

1500 A

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Vlera

Njësia

V _Tip

Tensioni kolektor-emitor

VGE = 0V, TC= 25 °C

6500

V

V _{=150 °C}

Tensioni i portës-emitësit

TC= 25 °C

± 20

V

Unë _C

Rryma kolektor-emitor

TC = 80 °C

750

A

Unë _C(PK)

Rryma maksimale e kolektorit

tp=1ms

1500

A

P _maks

Max. humbja e energjisë së transistorit

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

kW

Unë ²t

Diode I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

V _isoli

Tensioni i izolimit - për modul

(Terminalet e zakonshme në pllakën bazë), AC RMS, 1 min, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kV

Q _PD

Shkarkimi i pjesshëm - për modul

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

Rth(J-C) IGBT

Rezistenca termike - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) Diode

Rezistenca termike - Diode

19.0

K / kW

Rth(C-H) IGBT

Rezistenca termike -

kutia në radiator (IGBT)

Momenti i montimit 5Nm,

me yndyrë montimi 1W/m·°C

9

K / kW

Rth(C-H) Diode

Rezistenca termike -

kutia në radiator (Diode)

Momenti i montimit 5Nm,

me yndyrë montimi 1W/m·°C

18

K / kW

Tvjop

Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit

( IGBT )

-40

125

vj

( Diode )

-40

125

vj

TSTG

temperatura e ruajtjes

Varg temperatura e ruajtjes

-40

125

vj

M

Momenti i vidave

Montimi – M6

5

Nm

Lidhjet elektrike – M4

2

Nm

Lidhjet elektrike – M8

10

Nm

符号 Ndryshe

参数名称 Parametri

条件

Kushtet e provës

最小值 Min.

典型值 - Në rregull.

maksimal Max. - Çfarë?

单位 Njësia

ICES

集电极截止电流

CES

VGE = 0V,VCE = VCES

1

= 0V,

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

= 0V,

IGES

栅极漏电流

Rryma e derdhjes së portës

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

= 0V

VGE (TH)

grila -tensioni i pragut të emetuesit (TH)

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat)(*1)

集电极 -tensioni i ngopjes së emetuesit

(*1)

tensioni

VGE =15V, IC = 750A

3.0

3.4

V

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

V

Nese

rryma e drejtpërdrejtë për diodën °C

DC

750

A

IFRM

rryma e përsëritur e pikës së përparme të diodës Rryma e kulmit të përparme të diodës

tP = 1ms

1500

A

VF(*1)

tensioni përparës i diodës

1ms

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

V

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

V

ISC

rryma e shkurtër

Rryma e shkurtër

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

A

Cies

kapaciteti i hyrjes

Ies

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

mHz

Qg

ngarkesa e grilës

NF

ngarkesa e portës

9.4

±15V

Cres

kapaciteti i transmetimit të kundërt

Kapaciteti i transferit të kundërt

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

mHz

LM

induktanca e modulit

Induktiviteti i modulit

10

nH

RINT

rezistenca e brendshme

Rezistenca e transistorit të brendshëm

90

mΩ

tD _{(të fikur)}

koha e vonesës së fikjes

Koha e vonesës së fikjes

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

ns

Tvj= 125 °C

3090

t _f

koha e rënies Koha e rënies

Tvj= 25 °C

2390

ns

mJ

ns

ns

mJ

±15V

Tvj= 125 °C

2980

E _{Të mbyllur}

humbja e fikjes

Humbja e energjisë gjatë fikjes

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

tD _(në)

koha e vonesës së aktivizimit

Koha e vonesës së ndezjes

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

tr

koha e ngritjes Koha e ngritjes

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

E _Në

humbja e hapjes

Humbja e energjisë gjatë ndezjes

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

ngarkesa e rikthimit të diodës Diode Kthimi

ngarkesa e Rikuperimit

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

Irr

rryma e rikthimit të diodës Diode Kthimi

aktualisht rimëkëmbje

Tvj= 25 °C

1310

A

mJ

Tvj= 125 °C

1460

Erec

humbja e rikthimit të diodës Diode Kthimi

energia e rikuperimit

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080