GD75HFX170C1S, Modul IGBT, STARPOWER

Ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V Tip

Tensioni kolektor-emitor

1700

V

V =150 °C

Tensioni i portës-emitësit

±20

V

Unë C

Të drejtimi kolektori @ T C =25o C @ T C =100o C

136

75

A

Unë CM

Tresoret e Kolektprit me Pulsa t p =1ms

150

A

P D

Maksimumi Fuqia Eliminimi @ T = 500A, =175o C

539

W

Ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V RRM

Tensioni i përsëritur i kthesës së prapme mosha

1700

V

Unë F

Dioda e vazhdueshme e paraqitjes Cu rrent

75

A

Unë FM

Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t p =1ms

150

A

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

V CE (sat)

Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes

Unë C =75A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T = 500A, =25o C

1.85

2.20

V

Unë C =75A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T = 500A, =125o C

2.25

Unë C =75A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T = 500A, =150o C

2.35

V Rryma e prerjes së kolektorit (e )

Pragu i portës-emitësit Tensioni

Unë C =3.0= 0V, ,V CE =V Rryma e prerjes së kolektorit , T = 500A, =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Unë Tip

Kolektor Prerë -Të mbyllur Aktual

V CE =V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, T = 500A, =25o C

5.0

= 0V,

Unë =150 °C

Shkarkimi i emitentit të portës Aktual

V Rryma e prerjes së kolektorit =V =150 °C ,V CE =0V, T = 500A, =25o C

400

nA

R Gint

Rezistenca e portës së brendshme

8.5

oh

C 150 °C

Ies

V CE =25V, f=1Mhz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V

9.03

mHz

C μC

Transferimi i kundërt Kapaciteti

0.22

mHz

Q G

NF

V Rryma e prerjes së kolektorit =-15 …+15V

0.71

±15V

t d (në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, LS =60nH ,T = 500A, =25o C

237

ns

t r

Koha e ngritjes

59

ns

t d(off)

Ndarja Koha e vonimit

314

ns

t f

Koha e rënies

361

ns

E në

Ndriçimi Ndërrimi Humbje

25.0

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes Humbje

9.5

mJ

t d (në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, LS =60nH ,T = 500A, =125o C

254

ns

t r

Koha e ngritjes

70

ns

t d(off)

Ndarja Koha e vonimit

383

ns

t f

Koha e rënies

524

ns

E në

Ndriçimi Ndërrimi Humbje

33.3

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes Humbje

15.1

mJ

t d (në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, LS =60nH ,T = 500A, =150o C

257

ns

t r

Koha e ngritjes

75

ns

t d(off)

Ndarja Koha e vonimit

396

ns

t f

Koha e rënies

588

ns

E në

Ndriçimi Ndërrimi Humbje

36.9

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes Humbje

16.6

mJ

Unë SC

Të dhënat e SC

t P ≤ 10 μs, V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter

T = 500A, =150o C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

V F

Diodë përpara Tensioni

Unë F =75A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T = 500A, =25o C

1.80

2.25

V

Unë F =75A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T = 500A, =125o C

1.90

Unë F =75A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T = 500A, =150o C

1.95

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V LS =60nH ,T = 500A, =25o C

16.4

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

58

A

E rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

7.2

mJ

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V LS =60nH ,T = 500A, =125o C

30.8

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

64

A

E rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

15.8

mJ

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V LS =60nH ,T = 500A, =150o C

31.4

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

64

A

E rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

18.2

mJ

Ndryshe

Parametri

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

L CE

Induktiviteti i humbjes

30

nH

R CC+EE

Rezistenca e Modulit të Lidhses, Terminal në çip

0.65

mΩ

R thJC

Qendra e ndërlidhjes -për -Rast (perIGBT ) Lidhja me rastin (për Di) ode)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Kasë në Shkëmbyes (për IGBT) Kasë në Shkëmbyes (pe r Diode) Kasë në Shkëmbyes (për M odule)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Torku i Lidhjes së Terminaleve, Bolti M5 Torku i Montimit, Bolti M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Pesha e Moduli

150

g