Moduli IGBT 1700V

ndryshe

Përshkrimi

GD3600SGT170C4S

Njehzoja

VCES

Tensioni kolektor-emitor

1700

V

VGES

Tensioni i portës-emitësit

±20

V

IC

Rryma e Kolektorit@ TC=25℃

Rryma e Kolektorit@ TC=80℃

5200

A

3600

ICM(1)

Tungim i Rryfmit të Kolektorit tp= 1ms

7200

A

Nese

Dioda me rrymë të vazhdueshme përpara

3600

A

FMN

Rryma maksimale përpara e diodës

7200

A

PD

Maksimumi i fuqisë së Dishipëruar @ Tj= 175℃

19.7

KW

Tj

Temperatura maksimale e kryqëzimit

175

℃

TSTG

Varg temperatura e ruajtjes

-40 deri në +125

℃

VISO

Tensioni izolues RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montimi

Vira e terminalit të sinjalizimit:M4

Vira e terminalit të energjisë:M8

1.8 deri në 2.1

8.0 deri në 10

N.m.

Varf

Vira e montimit:M6

4.25 deri në 5.75

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

V ((BR) CES

Kolektor-Dërgues

Tensioni i ndarjes

Tj=25°C

1700

V

ICES

CES

VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C

5.0

= 0V,

IGES

Shkarkimi i emitentit të portës

Aktual

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

nA

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

VGE (th)

Pragu i portës-emitësit

Tensioni

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE(sat)

Kolektor për emetuesin

Tensioni i ngopjes

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

2.40

2.85

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

Qg

nF

VGE=- 15…+15V

42.0

±15V

RGint

Rezistori i Brendshëm i Portës

Tj=25°C

0.5

Oh

td(on)

Koha e vonesës së ndezjes

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25°C

730

ns

tr

Koha e ngritjes

205

ns

td(off)

Koha e vonesës së fikjes

1510

ns

tf

Koha e rënies

185

ns

EON

Humbja e Kalimit të Aktivizimit

498

mJ

Eof

Humbja e Kalimit të Çaktivizimit

1055

mJ

td(on)

Koha e vonesës së ndezjes

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

785

ns

tr

Koha e ngritjes

225

ns

td(off)

Koha e vonesës së fikjes

1800

ns

tf

Koha e rënies

325

ns

EON

Humbja e Kalimit të Aktivizimit

746

mJ

Eof

Humbja e Kalimit të Çaktivizimit

1451

mJ

Cies

ies

VCE=25V, f=1Mhz,

VGE=0V

317

MHz

Koes

Kapaciteti i prodhimit

13.2

MHz

Cres

Transferimi i kundërt

Kapaciteti

10.5

MHz

ISC

Të dhënat e SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

14000

A

LCE

Induktiviteti i humbjes

10

nH

RCC’+EE ’

Rezistenca e Modulit të Lidhs, Terminali në Çip

0.12

mΩ

ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

VF

Diodë përpara

Tensioni

IF=3600A

Tj=25°C

1.80

2.20

V

Tj= 125℃

1.90

2.30

Qr

Ngarkesa e rikuperuar

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25°C

836

±15V

Tj= 125℃

1451

IRM

Rryma e rikthimit të kundërt

Tj=25°C

2800

A

Tj= 125℃

3300

Erec

Energjia e rikuperimit të kundërt

Tj=25°C

590

mJ

Tj= 125℃

1051