GD300HFX170C2SA, Modul IGBT, STARPOWER

Ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V Tip

Tensioni kolektor-emitor

1700

V

V =150 °C

Tensioni i portës-emitësit

±20

V

Unë C

Të drejtimi kolektori @ T C =25o C @ T C =100o C

493

300

A

Unë CM

Tresoret e Kolektprit me Pulsa t p =1ms

600

A

P D

Maksimumi i humbjes së energjisë @ T = 500A, =175o C

1829

W

Ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V RRM

Tensioni i përsëritur i kthesës së prapme mosha

1700

V

Unë F

Dioda e vazhdueshme e paraqitjes Cu rrent

300

A

Unë FM

Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t p =1ms

600

A

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

V CE (sat)

Kolektor për emetuesin Tensioni i ngopjes

Unë C =300A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T = 500A, =25o C

1.85

2.30

V

Unë C =300A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T = 500A, =125o C

2.25

Unë C =300A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T = 500A, =150o C

2.35

V Rryma e prerjes së kolektorit (e )

Pragu i portës-emitësit Tensioni

Unë C =12.0= 0V, ,V CE =V Rryma e prerjes së kolektorit , T = 500A, =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Unë Tip

Kolektor Prerë -Të mbyllur Aktual

V CE =V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V, T = 500A, =25o C

1.0

= 0V,

Unë =150 °C

Shkarkimi i emitentit të portës Aktual

V Rryma e prerjes së kolektorit =V =150 °C ,V CE =0V, T = 500A, =25o C

400

nA

R Gint

Rezistenca e portës së brendshme ance

2.5

oh

C 150 °C

Ies

V CE =25V, f=1Mhz, V Rryma e prerjes së kolektorit =0V

36.1

mHz

C μC

Transferimi i kundërt Kapaciteti

0.88

mHz

Q G

NF

V Rryma e prerjes së kolektorit =-15 …+15V

2.83

±15V

t d (në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V,

T = 500A, =25o C

355

ns

t r

Koha e ngritjes

71

ns

t d(off)

Ndarja Koha e vonimit

473

ns

t f

Koha e rënies

337

ns

E në

Ndriçimi Ndërrimi Humbje

89.3

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes Humbje

46.3

mJ

t d (në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V,

T = 500A, =125o C

383

ns

t r

Koha e ngritjes

83

ns

t d(off)

Ndarja Koha e vonimit

549

ns

t f

Koha e rënies

530

ns

E në

Ndriçimi Ndërrimi Humbje

126

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes Humbje

68.5

mJ

t d (në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V,

T = 500A, =150o C

389

ns

t r

Koha e ngritjes

88

ns

t d(off)

Ndarja Koha e vonimit

575

ns

t f

Koha e rënies

585

ns

E në

Ndriçimi Ndërrimi Humbje

139

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes Humbje

73.4

mJ

Unë SC

Të dhënat e SC

t P ≤ 10 μs, V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter

T = 500A, =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

1200

A

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njehzoja

V F

Diodë përpara Tensioni

Unë F =300A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T = 500A, =25o C

1.80

2.25

V

Unë F =300A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T = 500A, =125o C

1.95

Unë F =300A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T = 500A, =150o C

1.90

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3247A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V LS =42nH ,T = 500A, =25o C

68

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

202

A

E rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

34.5

mJ

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2579A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V LS =42nH ,T = 500A, =125o C

114

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

211

A

E rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

61.2

mJ

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2395A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =-15V LS =42nH ,T = 500A, =150o C

136

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

217

A

E rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

73.9

mJ

Ndryshe

Parametri

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

L CE

Induktiviteti i humbjes

20

nH

R CC+EE

Rezistenca e Modulit të Lidhs, Terminali në Çip

0.35

mΩ

R thJC

Qendra e ndërlidhjes -për -Rast (perIGBT ) Lidhja me rastin (për D) jod)

0.082 0.127

K/W

R thCH

Kasë në Shkëmbyes (për IGBT) Kasë në Shkëmbyes (pe r Diode) Kasë në Shkëmbyes (për M odule)

0.033 0.051 0.010

K/W

M

Torku i Lidhjes së Terminaleve, Bolti M6 Torku i Montimit, Bolti M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Pesha e Moduli

300

g