GD1000HFX170P2, Modul IGBT, IGBT e gjysmë-puente, STARPOWER

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Vlera

Njësia

VCES

Tensioni kolektor-emitor

VGE = 0V, TC= 25 °C

1700

V

VGES

Tensioni i portës-emitësit

TC= 25 °C

± 20

V

IC

Rryma kolektor-emitor

TC = 65 °C

1400

A

IC(PK)

rryma e kulmit të kolektorit

Rryma maksimale e kolektorit

tp=1ms

2800

A

Pmax

Max. humbja e energjisë së transistorit

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

kW

I2t

Diode I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Visol

Tensioni i izolimit - për modul

Terminalet e zakonshme në bazëplakë), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

4000

V

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

ICES

CES

VGE = 0V,VCE = VCES

1

= 0V,

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

20

= 0V,

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

= 0V,

IGES

Rryma e derdhjes së portës

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

= 0V

VGE (TH)

(TH)

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat)(*1)

(*1) tensioni

VGE =15V, IC = 1400A

2.00

2.40

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

V

Nese

°C

DC

1400

A

IFRM

Rryma e kulmit të përparme të diodës

tP = 1ms

2800

A

VF(*1)

1ms

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

V

ISC

Rryma e shkurtër

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

A

Cies

kapaciteti i hyrjes

Ies

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

mHz

Qg

NF

ngarkesa e portës

11.7

±15V

Cres

Kapaciteti i transferit të kundërt

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

mHz

LM

Induktiviteti i modulit

10

nH

RINT

Rezistenca e transistorit të brendshëm

0.2

mΩ

td(off)

Koha e vonesës së fikjes

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

ns

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

tf

koha e rënies Koha e rënies

Tvj= 25 °C

460

ns

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

Eof

Humbja e energjisë gjatë fikjes

Tvj= 25 °C

460

mJ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

td(on)

Koha e vonesës së ndezjes

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

ns

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

tr

Koha e ngritjes

Tvj= 25 °C

112

ns

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

EON

Humbja e energjisë gjatë ndezjes

Tvj= 25 °C

480

mJ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

Diode Kthimi

ngarkesa e Rikuperimit

IF =1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

±15V

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Irr

Diode Kthimi

aktualisht rimëkëmbje

Tvj= 25 °C

790

A

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Erec

Diode Kthimi

energia e rikuperimit

Tvj= 25 °C

190

mJ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290