Module thyristor me fikje të shpejtë

MK(H)x200 MK200, Modul Thyristor të shpejtë për ç innate, rrefiksim i ajri

200A,600V~1800V,413F3D

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x200 MK200

Appurtenance:

Broshurë Produkti: SHKARKO

Hyrje
Skema e Qarkut Ekivalent

Hyrje

Përshkrim i shkurtër

Module thyristor me fikje të shpejtë ,MK(H) x200 MK200, 200A, Ftohja e ajrit ,prodhuar nga TECHSEM.

VRRM,VDRM	Lloji & Skica
600V	MKx200-06-413F3D	MHx200-06-413F3D
800V	MKx200-08-413F3D	MHx200-08-413F3D
1000V	MKx200-10-413F3D	MHx200-10-413F3D
1200V	MKx200-12-413F3D	MHx200-12-413F3D
1400V	MKx200-14-413F3D	MHx200-14-413F3D
1600V	MKx200-16-413F3D	MHx200-16-413F3D
1800V	MKx200-18-413F3D	MHx200-18-413F3D
1800V	MK200-18-413F3DG

MKx përfaqëson çdo lloj të MKC, MKA, MKK

MHx përfaqëson çdo lloj të MHC, MHA, MHK

Veprime të Rralla ：

Vendndodhja e izoluar bas 2500V
Teknologjia e kontaktit të presionit me Rritur aftësia e ciklimit të fuqisë
Hapësira dhe pesha sa vëzhgimi

Aplikimet Tipike ：

Invertor
Ngrohje induktive
Chopper

Ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( ℃ )	Vlera			Njësia
Ndryshe	Karakteristikë	Kushtet e provës	Tj( ℃ )	Min	Lloji	Maks	Njësia
Unë _T(AV)	Rryma mesatare në gjendjen aktive	180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz Ftohje nga një anë, Tc=85 ℃	125			200	A
Unë _T(RMS)	Rryma e qëndrueshme RMS		125			314	A
Unë _DRMUnë _RRM	Rryma pikore përsëritëse	në VDRM në VRRM	125			50	= 0V,
ITSM	Rryma e goditjes në gjendjen aktive	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=60%VRRM	125			4.8	kA
I2t	I2t për koordinimin e fundosjes	10ms gjysmë vale sinusoidale VR=60%VRRM	125			115	10³A ²s
V _Për	Tensioni i Pragut		125			1.65	V
r _T	Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive		125			0.60	m
V _TM	Tensioni maksimal në gjendjen aktive	ITM=600A	25			2.65	V
dv/dt	Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive	Burimi i portës 1.5A tr ≤0.5μs Përsëritëse	125			200	A/μs
tq	Koha e fikjes së komutuar nga qarku	ITM=200A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs	125	20		40	µs
tq	Koha e fikjes së komutuar nga qarku	ITM=200A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs	25	6		16	µs
Unë _GT	Rryma e aktivizimit të portës	VA= 12V, IA= 1A	25	30		180	= 0V,
Vgt	Tensioni i aktivizimit të portës			0.8		2.5	V
IH	Rryma mbajtëse			20		200	= 0V,
IL	Rryma e ngjitjes					1000	= 0V,
V _GD	Tensioni i portës jo-aktivizues	VDM=67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Rezistenca termike nga lidhja në rast	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.100	℃ /W
Rth(c-h)	Rezistenca termike rast në radiator	E ftohur nga një anë për çdo çip				0.040	℃ /W
VISO	Tensioni i izolimit	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
FM	Torku i lidhjes së terminaleve (M8)			10.0		12.0	N·m
FM	Torku i montimit (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Temperatura e lidhjes			-40		125	℃
TSTG	Temperatura e ruajtur			-40		125	℃
Wt	Pesha				770		g
Skica	413F3D