Краткое введение
Продукты серии IGCT
Наша компания предлагает высокопроизводительные интегрированные тиристоры с коммутацией затвора (IGCT) продукты для высокомощных и средненапряжённых силовых электронных приложений. IGCT объединяет преимущества тиристорной технологии и передовой технологии коммутации затвора, обладая высокой пробивной напряжённостью, сверхвысокой способностью к пропусканию тока, низкими потерями на проводимость, превосходными характеристиками переключения и выдающейся надёжностью.
Ассортимент продукции IGCT включает две основные серии:
1. IGCT с обратной проводимостью (RC-IGCT)
IGCT с обратной проводимостью интегрирует IGCT и диод свободного хода в единую полупроводниковую структуру, обеспечивая компактное решение с превосходными характеристиками переключения и упрощая проектирование систем. Широко применяется в таких областях, как приводы среднего напряжения, преобразователи и высокомощные инверторные системы.
2. Асимметричный IGCT (A-IGCT)
Асимметричный IGCT оптимизирован для применения в высокомощных коммутационных устройствах и обладает превосходной способностью к выключению, низкими потерями при проводимости и высокой плотностью тока. Он предназначен для требовательных применений, где необходима максимальная мощность, включая преобразователи среднего напряжения, промышленные электроприводы и высокомощные системы преобразования энергии.
Благодаря передовым полупроводниковым технологиям и надёжной упаковке в пресс-корпусах наши продукты IGCT обеспечивают эффективные и надёжные решения для систем HVDC, преобразования энергии из возобновляемых источников, промышленных электроприводов, тяговых систем и других высокомощных применений
Области применения
Высоковольтный преобразователь
Оборудование для привода мотора
Гибкая система передачи
Особенности
С возможностью автоматического отключения
Низкие потери при работе
Подходит для применение в цепи
Ключ Параметры
V ЦП |
4500 |
V |
О TGQM |
5000 |
А |
О TSM |
35 |
kA |
V К |
1.22 |
V |
пруток T |
0.28 |
мОм |
V DClink |
2800 |
V |
Блокировка Данные
Символ |
Состояние |
Мин |
Тип |
Макс. |
Единица |
V DRM |
TVJ = 125 ℃ , I D ≤ I DRM, tp = 10 мс |
- |
- |
4500 |
V |
I DRM |
TVJ = 125 ℃ , VD = V DRM, tp = 10 мс |
- |
- |
50 |
mA |
dv/dt |
TVJ = 125 ℃ , VD = 0,67 × V DRM |
|
|
1000 |
В/мкс |
VDClink |
среднее значение постоянного напряжения на шине постоянного тока, допустимое при интенсивности отказов 100 FIT |
- |
- |
2800 |
V |
VRRM |
/ |
- |
- |
17 |
V |
Состояние включения Данные
Символ |
Состояние |
Мин |
Тип |
Макс. |
Единица |
О T(RMS) |
TC = 85 ℃ , Полуволна синусоиды, охлаждение с обеих сторон |
- |
- |
3000 |
А |
|
О TSM
О 2t
|
TVJ = 125 ℃ , Полуволна синусоиды, 10 мс, VD = VR = 0 |
-
-
|
-
-
|
35
545
|
kA
104А 2s
|
V TM |
TVJ = 125 °C, IT = 5000 A |
- |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V К
пруток T
|
TVJ = 125 °C, IT = 1000…5000 A
|
-
-
|
-
-
|
1.22
0.28
|
V мОм |
Включить Данные
Символ |
Состояние |
Мин |
Тип |
Макс. |
Единица |
diT/dt |
TVJ = 125 °C, IT = 5000 A, VD = 2800 V, f = 0…500 Гц |
- |
- |
5000 |
А/мкс |
tdon |
|
- |
- |
4 |
μs |
|
t donSF
tr
|
TVJ = 125 °C, IT = 5000 A, VD = 2800 В, di/dt = VD/Li, CCL = 20 мкФ, RS = 0,4 Ом, Li = 3 мкГн, LCL = 0,3 мкГн |
-
-
|
-
-
|
8
1
|
μs
μs
|
E включено |
|
- |
- |
1.8 |
J |
Данные отключения
Символ |
Состояние |
Мин |
Тип е |
Макс. |
Единица |
|
О TGQM
|
TVJ = 125 °C, VDM ≤ VDRM, VD = 2800 В, LCL = 0,3 мкГн, CCL = 20 мкФ, RS = 0,4 Ом, f = 0…300 Гц
DFWD = DCL=SF8.FYB2000-45
|
-
|
-
|
5000
|
А
|
|
t doff
t doffSF
t f
E OFF
|
TVJ = 125 °C, ITGQ = 5000 A, VD = 2800 В, VDM ≤ VDRM, CCL = 20 мкФ, RS = 0,4 Ом
L i =4μH, L CL = 0.3μH
DFWD = DCL= SF8.FYB2000-45
|
-
-
-
-
|
-
-
-
28
|
8
10
1
33
|
μs
μs
μs
J
|
EN
