Краткое введение
Модуль тиристора для сварки ,MTC200 ，200A, Охлаждение воздухом ,произведенный TECHSEM.
VDRM, VRRM |
Тип и контур |
|
600V
800V
1000В
1200В
1400V
1600V
1800V
|
MTC200-06-229H3/229H3B
MTC200-08-229H3/229H3B
MTC200-10-229H3/229H3B
MTC200-12-229H3/229H3B
MTC200-14-229H3/229H3B
MTC200-16-229H3/229H3B
MTC200-18-229H3/229H3B
|
Особенности ：
- Изолированная монтажная база 3000V~
-
Технология пайки с увеличенной способностью к циклам мощности
- Экономия пространства и веса
Типичные применения ：
- Двигатели двигателей СВ/ДС
- Различные выпрямители
- Постоянное питание для инвертора с ШИМ
|
Символ
|
Характеристика
|
Условия испытаний
|
Tj( ℃ ) |
Значение |
Единица
|
Мин |
ТИП |
Макс |
IT(AV) |
Средний ток в проводимом состоянии |
180° полусинусная волна 50 Гц Одностороннее охлаждение, Tc=85 ℃ |
125 |
|
|
200 |
A |
IT(RMS) |
Эффективный ток в состоянии включения |
125 |
|
|
314 |
A |
Idrm Irrm |
Повторяющийся пиковый ток |
при VDRM при VRRM |
125 |
|
|
40 |
mA |
ITSM |
Импульсный ток в проводимом состоянии |
10ms полуволна синусоиды VR=60%VRRM |
125
|
|
|
4.0 |
кА |
I2t |
I2t для координации плавления |
|
|
80 |
A 2s*10 3 |
VTO |
Напряжение порога |
|
125
|
|
|
0.70 |
В |
пТ |
Сопротивление наклона в проводимом состоянии |
|
|
1.11 |
мОм |
VTM |
Пиковое напряжение в проводимом состоянии |
ITM=600A |
25 |
|
|
1.80 |
В |
dv/dt |
Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения |
Источник затвора 1.5A
tr ≤0.5μs Повторяющийся
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Ток срабатывания затвора |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Напряжение срабатывания затвора |
0.6 |
|
2.5 |
В |
IH |
Ток удержания |
10 |
|
250 |
mA |
ИЛ |
Ток захвата |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Напряжение затвора без срабатывания |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
В |
Rth(j-c) |
Тепловое сопротивление от узла к корпусу |
Одностороннее охлаждение на чип |
|
|
|
0.16 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Тепловое сопротивление корпуса к радиатору |
Одностороннее охлаждение на чип |
|
|
|
0.08 |
℃ /W |
Визо |
Изоляционное напряжение |
50Hz,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(МАКС) |
|
3000 |
|
|
В |
|
ЧМ
|
Крутящий момент подключения терминала (M6) |
|
|
2.5 |
|
4.0 |
Н·м |
Крутящий момент монтажа (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
Н·м |
Телевидение |
Температура соединения |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
ТСТГ |
Хранимая температура |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Вт |
Вес |
|
|
|
165 |
|
g |
Основные положения |
229H3 、229H3B |
EN
