GD820HTA75P6H

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

820

A

Я C

Коллекторный ток @ T F =90 о C

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

1640

A

Р Г

Максимальное распределение мощности ация @ Т F =75 о C Т j =175 о C

751

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

750

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

820

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1640

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.10

1.35

В

Я C =450A,V GE =15В, Т j =150 о C

1.15

Я C =450A, В GE =15В, Т j =175 о C

1.15

Я C =820А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.30

Я C =820А,В GE =15В, Т j =175 о C

1.50

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =12.9 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.5

6.5

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =50В, f=100kHz, В GE =0В

72.3

нФ

C - Да.

Выходной объем

1.51

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.32

нФ

Q G

Сбор за вход

В СЕ =400В, I C =450A, В GE =-15…+15V

4.77

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω,

В GE =-8V/+15V, Л S =24нГн,

Т j =25 о C

315

nS

т r

Время нарастания

61

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

729

nS

т f

Время спада

70

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

12.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

18.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω,

В GE =-8V/+15V, Л S =24нГн,

Т j =150 о C

338

nS

т r

Время нарастания

74

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

826

nS

т f

Время спада

151

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

20.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

25.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω,

В GE =-8V/+15V, Л S =24нГн,

Т j =175 о C

343

nS

т r

Время нарастания

77

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

846

nS

т f

Время спада

171

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

25.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

27.3

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs,V GE =15В,

Т j =25 о C,V CC =400В, В СМК ≤750В

4500

A

т Р ≤3μс,V GE =15В,

Т j =175 о C,V CC =400В, В СМК ≤750В

3300

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T j =25 о C

1.40

1.65

В

Я F =450A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.35

Я F =450A,V GE =0V,T j =1 75о C

1.30

Я F =820А,В GE =0V,T j =25 о C

1.70

Я F =820А,В GE =0V,T j =1 75о C

1.65

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F =450A,

-di/dt=7760А/μс,V GE =-8В Л S =24 nH ,Т j =25 о C

10.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

287

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

4.83

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F =450A,

-di/dt=6300А/μс,V GE =-8В Л S =24 nH ,Т j =150 о C

25.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

341

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

9.32

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I F =450A,

-di/dt=5990А/μс,V GE =-8В Л S =24 nH ,Т j =175 о C

30.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

354

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

10.6

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.75

мОм

△ р

△ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т F =75 о C

64

мбар

р

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

Т основание < 40 о C

Т основание > 40 о C

(относительное давление)

2.5 2.0

штанга

R фНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т F =75 о C

0.116 0.175

0.133 0.200

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Вес из Модуль

750

g