GD820HFA75N6HY

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 820V 750А.

Особенности

Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
Низкие потери при переключении
возможность короткого замыкания 6 мкм
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Максимальная температура соединения 175 ℃
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная пинфин-плита с использованием технологии DBC

Типичные применения

Автомобильное применение
Гибридные и электрические транспортные средства
Инвертор для привода мотора

Абсолютное Максимальное Рейтинги Т F =25 о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ	Описание	Ценности	Единица
В CES	Напряжение коллектор-эмиттер	750	В
В ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я CN	Использование коллектора Cu ренты	820	A
Я C	Коллекторный ток @ T F = 95 о C T vj =175 о C	450	A
Я CRM	Повторяющийся Пик Коллектор Ток tp ограниченный от Т vjop	1640	A
Р Г	Максимальное распределение мощности ация @ Т F =65 о C Т vj =175 о C	909	В

Диод

Символ	Описание	Ценности	Единица
В RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст	750	В
Я ФН	Использование коллектора Cu ренты	820	A
Я F	Диод Непрерывный прямой ток ренты	450	A
Я ФРМ	Повторяющийся Пик Прямой Ток tp ограниченный от Т vjop	1640	A

Модуль

Символ	Описание	Значение	Единица
Т vjmax	Максимальная температура стыка	175	о C
Т vjop	Рабочая температура развязки непрерывная	-40 до +150	о C
Т СТГ	Диапазон температур хранения	-40 до +125	о C
В ИСО	Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min	2500	В
г Ползучесть	Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу	7.3 7.3	мм
г Прозрачный	Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу	7.3 4.0	мм

IGBT Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
В CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =680А,V GE =15В, Т vj =25 о C		1.25	1.50	В
		Я C =680А,V GE =15В, Т vj =150 о C		1.35
		Я C =680А,V GE =15В, Т vj =175 о C		1.40
		Я C =820А,В GE =15В, Т vj =25 о C		1.30
		Я C =820А,В GE =15В, Т vj =175 о C		1.50
В GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C =12.9 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C	5.5	6.5	7.0	В
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток	В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C			1.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя Ток	В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C			400	нД
R Гинт	Сопротивление внутреннего воротника			1.0		ω
C ies	Входной пропускной способностью	В СЕ =50В, f=100kHz, В GE =0В		72.3		нФ
C - Да.	Выходной объем			1.51		нФ
C res	Обратная передача Пропускная способность			0.32		нФ
Q G	Сбор за вход	В СЕ =400В, Я C =680А, В GE =-10…+15В		4.10		μC
т г (нА )	Время задержки включения	В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω, Л S =20 nH ,В GE =-8V/+15V, Т vj =25 о C		483		nS
т r	Время нарастания			60		nS
т d(off)	Выключение Время задержки			664		nS
т f	Время спада			67		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			16.3		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			17.4		mJ
т г (нА )	Время задержки включения	В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω, Л S =20 nH ,В GE =-8V/+15V, Т vj =150 о C		507		nS
т r	Время нарастания			76		nS
т d(off)	Выключение Время задержки			750		nS
т f	Время спада			125		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			26.3		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			22.1		mJ
т г (нА )	Время задержки включения	В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω, Л S =20 nH ,В GE =-8V/+15V, Т vj =175 о C		509		nS
т r	Время нарастания			79		nS
т d(off)	Выключение Время задержки			764		nS
т f	Время спада			139		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			27.6		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			23.0		mJ
Я SC	Данные SC	т Р ≤3μс, В GE =15В, Т j =175 о C,V CC =450В, В СМК ≤750В		3300		A

Диод Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
В F	Диод вперед Напряжение	Я F =680А,V GE =0V,T vj =2 5о C		1.60	2.05	В
		Я F =680А,V GE =0V,T vj =150 о C		1.60
		Я F =680А,V GE =0V,T vj =175 о C		1.55
		Я F =820А,В GE =0V,T vj =2 5о C		1.70
		Я F =820А,В GE =0V,T vj =175 о C		1.65
Q r	Восстановленная зарядка	В R =400В, I F =450A, -di/dt=8350A/μs,L S =20н H, В GE =-8V, Т vj =25 о C		12.4		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			273		A
Е rec	Обратное восстановление Энергия			3.45		mJ
Q r	Восстановленная зарядка	В R =400В, I F =450A, -di/dt=6670A/μs,L S =20н H, В GE =-8V, Т vj =150 о C		27.7		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			319		A
Е rec	Обратное восстановление Энергия			6.51		mJ
Q r	Восстановленная зарядка	В R =400В, I F =450A, -di/dt=6410A/μs,L S =20н H, В GE =-8V, Т vj =175 о C		31.8		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			334		A
Е rec	Обратное восстановление Энергия			7.26		mJ

PTC Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
R	Номинальный Сопротивление	Т C =0 о C Т C =150 о C		1000 1573		ω ω
Т Кр	Температурный коэффициент нт			0.38		%/K
Т Сх	Сам Подогрев	Т C =0 о C Я м =0.1...0.3мА		0.4		К/мВт

Модуль Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся		5		nH
р	Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка			2.5	штанга
R фНП	Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) △ V/ △ t=2.67 L/ мин ,Т F =65 о C		0.105 0.157	0.121 0.181	K/W
М	Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт M5	3.6 5.4		4.4 6.6	Н.М
G	Вес из Модуль		220		g