Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1000V 750А.
Особенности
Типичные применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т F =25 о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Ценности |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
750 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я CN |
Использование коллектора Cu ренты |
1000 |
A |
Я C |
Коллектор Ток Т vj =175 о C |
680 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t р =1 мс |
1360 |
A |
Р Г |
Максимальное распределение мощности ация @ Т F =75 о C Т vj =175 о C |
1086 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Ценности |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
750 |
В |
Я ФН |
Использование коллектора Cu ренты |
1000 |
A |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
680 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t р =1 мс |
1360 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т vjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т vjop |
Рабочая температура развязки непрерывная |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
2500 |
В |
IGBT Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C =680А,V GE =15В, Т vj =25 о C |
|
1.25 |
1.50 |
В |
|
Я C =680А,V GE =15В, Т vj =150 о C |
|
1.35 |
|
||||
Я C =680А,V GE =15В, Т vj =175 о C |
|
1.40 |
|
||||
Я C =1000A,V GE =15В, Т vj =25 о C |
|
1.45 |
|
||||
Я C =1000A,V GE =15В, Т vj =175 о C |
|
1.70 |
|
||||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =9.60 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C |
5.5 |
6.5 |
7.0 |
В |
|
Я C =9.60 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =175 о C |
|
3.5 |
|
||||
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C |
|
|
1.0 |
mA |
|
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C |
|
|
400 |
нД |
|
R Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
1.0 |
|
ω |
|
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =50В, f=100kHz, В GE =0В |
|
72.3 |
|
нФ |
|
C - Да. |
Выходной объем |
|
1.51 |
|
нФ |
||
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.32 |
|
нФ |
||
Q G |
Сбор за вход |
В СЕ =400В, Я C =680А, В GE =-10…+15В |
|
4.10 |
|
μC |
|
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C =680А, R G =0.22Ом, Л S =16 nH , В GE =-10В/+15В, Т vj =25 о C |
|
196 |
|
nS |
|
т r |
Время нарастания |
|
50 |
|
nS |
||
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
407 |
|
nS |
||
т f |
Время спада |
|
125 |
|
nS |
||
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
11.1 |
|
mJ |
||
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
29.1 |
|
mJ |
||
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C =680А, R G =0.22Ом, Л S =16 nH , В GE =-10В/+15В, Т vj =150 о C |
|
222 |
|
nS |
|
т r |
Время нарастания |
|
63 |
|
nS |
||
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
471 |
|
nS |
||
т f |
Время спада |
|
178 |
|
nS |
||
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
19.7 |
|
mJ |
||
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
37.4 |
|
mJ |
||
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C =680А, R G =0.22Ом, Л S =16 nH , В GE =-10В/+15В, Т vj =175 о C |
|
224 |
|
nS |
|
т r |
Время нарастания |
|
68 |
|
nS |
||
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
490 |
|
nS |
||
т f |
Время спада |
|
194 |
|
nS |
||
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
21.7 |
|
mJ |
||
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
39.5 |
|
mJ |
||
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤6μs,V GE =15В, |
|
4000 |
|
A |
|
|
|
Т vj =25 о C,V CC =450В, В СМК ≤750В |
|
|
|
|
|
т Р ≤3μс,V GE =15В, Т vj =175 о C,V CC =450В, В СМК ≤750В |
|
3300 |
|
Диод Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F =680А,V GE =0V,T vj =2 5о C |
|
1.60 |
2.05 |
В |
Я F =680А,V GE =0V,T vj =150 о C |
|
1.60 |
|
|||
Я F =680А,V GE =0V,T vj =175 о C |
|
1.55 |
|
|||
Я F =1000A,V GE =0V,T vj =25 о C |
|
1.80 |
|
|||
Я F =1000A,V GE =0V,T vj =175 о C |
|
1.75 |
|
|||
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I F =680А, -di/dt=15030A/μс,V GE =-10В, Л S =16 nH ,Т vj =25 о C |
|
19.9 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
458 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
6.10 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I F =680А, -di/dt=12360A/μс,V GE =-10В, Л S =16 nH ,Т vj =150 о C |
|
29.7 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
504 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
9.70 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I F =680А, -di/dt=11740A/μс,V GE =- 10V, Л S =16 nH ,Т vj =175 о C |
|
34.5 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
526 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
11.0 |
|
mJ |
PTC Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R |
Номинальный Сопротивление |
Т C =0 о C Т C =150 о C |
|
1000 1573 |
|
ω ω |
Т Кр |
Температурный коэффициент нт |
|
|
0.38 |
|
%/K |
Т Сх |
Сам Подогрев |
Т C =0 о C Я м =0.1...0.3мА |
|
0.4 |
|
К/мВт |
Модуль Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
5 |
|
nH |
р |
Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка |
|
|
2.5 |
штанга |
R фНП |
Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=8.0 дм 3/мин ,Т F =65 о C |
|
0.080 0.115 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт M5 |
5.4 5.4 |
|
6.6 6.6 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
220 |
|
g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.