тип IGBT
Изолированный затворный биполярный транзистор (IGBT) - это тип силового электронного устройства, которое сочетает в себе простые характеристики управления затвором металлооксидного полупроводникового полевого транзистора (MOSFET) с высокой токовой и низковольтной способностью биполярного переходного транзистора (BJT). Его основные функции включают переключение и управление потоком электрического тока в различных приложениях. Технологически IGBT имеет структуру металлооксидного полупроводника (MOS) для своего входа и биполярный переход для своего выхода, что позволяет ему эффективно обрабатывать как напряжения, так и токи. Это полупроводниковое устройство широко используется в таких приложениях, как электрические транспортные средства, системы тяги железных дорог, источники питания и системы возобновляемой энергии благодаря своей способности управлять высокими уровнями мощности с превосходной эффективностью и надежностью.